Персоналии

• Просмотров: 1432 | Комментариев : 0

• Просмотров: 55 | Комментариев : 0

• Просмотров: 51 | Комментариев : 0

• Просмотров: 57 | Комментариев : 0

• Просмотров: 170 | Комментариев : 0

• Просмотров: 260 | Комментариев : 0

• Просмотров: 176 | Комментариев : 0

• Просмотров: 183 | Комментариев : 0

Исследованы зависимости характеристик глубокого травления кремния от параметров процесса. Для нахождения оптимальных режимов, обеспечивающих высокую селективность к маске и снижение апертурного эффекта, применен метод планирования многофакторного эксперимента. Результаты исследования использованы при изготовлении реальных структур МЭМС.

• Просмотров: 1283 | Комментариев : 0

Показаны основные факторы, определяющие требования к герметизации микромеханических устройств и систем (МЭМС). Проанализированы применительно к герметизации МЭМС методы обработки материалов и создания трехмерных структур, используемые в микросистемной технике. Рассмотрены различные технологические варианты вакуумной герметизации микросистем,  тенденции развития данной области.

• Просмотров: 1450 | Комментариев : 0

Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). Проведен рентгеноструктурный анализ слоев КНС. Переходная область кремний-сапфир исследована методом фотоЭДС. Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски - Крастанова. Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30-60 нм из чистого SiH и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH:1SiCl, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более.

• Просмотров: 1584 | Комментариев : 0

• Просмотров: 1408 | Комментариев : 0

Описана технология формирования наноуглеродных эмиттеров для интегральных автоэмиссионных элементов. Определены режимы получения различных углеродных пленочных структур: алмазных, графитовых, графеноподобных. Исследован низкотемпературный метод получения ультрадисперсных алмазов. Показано, что высокие эмиссионные свойства наноалмазографитовых эмиттеров обеспечиваются за счет эффекта самоорганизации алмазных нанокристаллов в графитовой пленке в процессе осаждения пленок из паров этанола при низком давлении с использованием высоконеравновесной СВЧ-плазмы. На основе разработанного метода изготовлены и исследованы экспериментальные образцы интегральных автоэмиссионных диодов с наноалмазографитовыми эмиттерами. Получены следующие параметры интегральных автоэмиссионных диодов: порог эмиссии 2,5 В/мкм, плотность эмиссионного тока 1,75 А/см. При исследовании эмиттеров лезвийного типа получена наибольшая плотность тока - более 20 А/см.

• Просмотров: 1412 | Комментариев : 0

Сложность оптимизации технологического режима гетероэпитаксии является важным сдерживающим фактором использования структур кремния на сапфире (КНС). С целью устранения данного технологического барьера в работе проведено исследование процесса газофазного формирования начального слоя кремния на R-плоскости сапфира. Параметры изготовленных слоев проанализированы с помощью производственных методов контроля качества, а также методов РСА, РЭМ и СКР. Получены профили распределения удельного сопротивления методом сопротивления растекания (SRP). Показано, что проведение начальной стадии роста при температуре 910–930 °С приводит к уменьшению автолегирования слоя кремния алюминием из подложки. Термообработка начального слоя, сформированного при температуре 945–965 °С, позволяет получать структуры КНС высокого структурного качества в широком диапазоне температур осаждения основного слоя ( 960–1005 °С). Сравнение структур КНС, полученных при оптимальных параметрах разработанного режима и в стандартном процессе, показало снижение ширины кривой качания до ~0,24°, уменьшение механических напряжений сжатия до 0,8–1,96 ГПа, однородность профиля удельного сопротивления до глубины 180–350 нм. Применение разработанных технологических режимов позволяет значительно повысить однородность контрольных параметров КНС в одном процессе, что повышает производительность процесса изготовления.

• Просмотров: 1430 | Комментариев : 0

Важными факторами надежности и прочности микроэлектронных модулей являются конструкция и технология паяного и клеевого соединений, упругие прочностные и пластические свойства материалов кристалла кремния, припоя и клеевого шва. Многослойные конструкции соединений элементов в микроэлектронных модулях должны обеспечивать снижение массогабаритных характеристик и эффективный теплоотвод. В работе проведено моделирование напряженно-деформированного состояния соединений элементов в микроэлектронных модулях. Показано, что в олово-висмутовом припое напряжения в материалах сборки распределяются более равномерно и их значения ниже, чем при использовании припоев ПОС61 и ПОЦ: в кремнии на 5-30 %, в медном проводнике на 20-90 %. Выяснено, что в условиях эксплуатации и испытаний при повышенных температурах напряжение в припое ПОВи ниже, чем в припоях ПОС61 и ПОЦ, в 1,5 и 2,2 раза соответственно. Установлено, что эпоксидный клей холодного отверждения имеет хорошую адгезию к различным конструктивным материалам и долговечность, а технологический процесс характеризуется низкой трудоемкостью. Определена оптимальная толщина клеевого шва (50-200 мкм) и медного проводника (20 мкм). Даны рекомендации по проектированию микросоединений микроэлектронных модулей.

• Просмотров: 1135 | Комментариев : 0

Из широкого спектра выпускаемых гибких фольгированных диэлектриков выгодно отличаются безадгезивные материалы. Они выдерживают воздействие высоких температур, позволяют существенно повысить плотность элементов и имеют лучшие качественные характеристики, так как адгезивы оказывают отрицательное влияние на электрические характеристики изготавливаемых с их применением материалов и имеют сравнительно невысокую термостойкость. В работе рассмотрены безадгезивные гибкие фольгированные диэлектрики для электронной техники и технология их изготовления. Исследованы изменение свойств лакофольгового диэлектрика ФДИ-АП50 при хранении и влияние технологических факторов на степень усадки полимерной основы. Показаны преимущества безадгезивных фольгированных диэлектриков с полной имидизацией полимерной основы. Описана технология изготовления лакофольговых диэлектриков, используемых при производстве высоконадежных микросхем модификации 2 и высокотехнологичных мембран акустических преобразователей. Полиимидное основание диэлектриков имеет высокую адгезию к фольге и гарантированную равномерность степени имидизации 95-100 %. Этим обеспечивается стабильность технологических режимов в процессе изготовления изделий из данных материалов, а также повышение срока хранения лакофольговых диэлектриков до 12 месяцев.

• Просмотров: 684 | Комментариев : 0

Для снижения разницы температурного коэффициента линейного расширения между кристаллом и материалом герметизации при корпусировании микросхем в пластиковые корпуса применяются эпоксидные монолитизирующие компаунды, содержащие высокий процент наполнителя в виде частиц оксида кремния. Однако помимо кристалла значительное влияние на уровень термомеханических напряжений в корпусе оказывает коммутационная подложка. При трехмерной интеграции в микросборке с помощью объемной коммутации объединяется несколько подложек, которые могут быть изготовлены из различных диэлектриков. В работе показано, что снизить уровень температурных напряжений в такой структуре могут герметизирующие материалы с различным температурным коэффициентом линейного расширения во внешней и внутренней частях изделия. Определены зависимости термомеханического напряжения и деформации микросборки от числа уровней и количества наполнителя во внешнем герметизирующем компаунде. Исследование проведено посредством компьютерного моделирования различных конструкций микросборок, герметизированных компаундами с разными значениями температурных и механических параметров. На основе полученных графиков зависимостей установлены оптимальные значения содержания наполнителя во внешнем и внутреннем компаундах для обеспечения минимальной температурной и механической (под действием ускорения) деформации микросборок при разном числе уровней.

• Просмотров: 616 | Комментариев : 0

С позиций статистической термодинамики проведен анализ механизмов отказов и процессов химической кинетики, определяющих надежность изделий микросистемной техники. Впервые предпринята попытка использовать модифицированное уравнение Гиббса в форме Семенченко для задач исследования механизмов отказов изделий.

• Просмотров: 1473 | Комментариев : 0

Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике.

• Просмотров: 1427 | Комментариев : 0

Показана возможность использования закономерностей макроскопической (классической) термогидродинамики и определены ее пространственно-временные ограничения при моделировании теплообмена микронных тепловыделяющих элементов микрозеркальных микроэлектромеханических систем (МЭМС) различной геометрии. Основными задачами моделирования являются определение эксплуатационных характеристик микрозеркальных МЭМС и пути оптимизации этих показателей. Приведен пример практической апробации модели теплообмена тепловыделяющего элемента термомеханического актюатора, входящего в состав микрозеркальной МЭМС. Результаты моделирования подтверждены адекватностью экспериментальным исследованиям.

• Просмотров: 1421 | Комментариев : 0