Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике.
1. Granitzer P., Rumpf K. Porous Silicon - a Versatile Host Material // Materials. – Vol. 3. – N 2. – 2010. – P. 943–998.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 480 с.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн.1: пер. с англ. – 2-е изд. перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
4. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering B. – 2000. – Vol. 69–70. – P. 11–22.
5. Boyko A., Gaev D., Timoshenkov S., Litmanovich D. Controllable Growth of Copper Fractal Aggregates on Structurally Modified Silicon Surface // Proc. of the XXXII Intern. Scientific Conf. ELNANO'2013 (Kyiv, 2013). – 2013. – P. 185–187. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6551999