1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 592.546.28:539.21.621.79:621.38Элементы интегральной электроникиIntegrated High-Capacity Varicap Based on Porous SiliconИнтегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремнияТимошенков Сергей ПетровичТимошенковСергей ПетровичTimoshenkovSergey P.Sergey P. TimoshenkovБойко Антон НиколаевичБойкоАнтон НиколаевичBoikoAnton N.Anton N. BoikoГаев Дахир СайдуллаховичГаевДахир СайдуллаховичGaevDakhir S.Dakhir S. GaevКалмыков Рустам Мухамедович КалмыковРустам Мухамедович MukhamedovichKalmykov RustamKalmykov Rustam MukhamedovichНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияКабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, г. Нальчик, Россия1519http://ivuz-e.ru/issues/1-_2017/integralnyy_varikap_povyshennoy_emkosti_na_osnove_poristogo_kremniya/http://ivuz-e.ru/download/1_2017_1392.pdf

The possibility of applying porous silicon in creation of varicaps with high capacitance ratio, satisfying the requirements of microelectronic and macrosystem technology, has been investigated. The capacitor structures using the copper galvanic deposition to porous silicon pores have been presented. The morphological features of the experimental structures have been studied, the specific capacitance of varicaps has been determined. The obtained results demonstrate the prospects of application of varicaps based on porous silicon in integrated electronics.

Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике.

пористый кремнийинтегральный конденсаторварикапгальваническое осаждениеэлектрохимическое анодирование кремния Granitzer P., Rumpf K. Porous Silicon - a Versatile Host Material // Materials. – Vol. 3. – N 2. – 2010. – P. 943–998.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 480 с.Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн.1: пер. с англ. – 2-е изд. перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – 456 с.Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering B. – 2000. – Vol. 69–70. – P. 11–22.Boyko A., Gaev D., Timoshenkov S., Litmanovich D. Controllable Growth of Copper Fractal Aggregates on Structurally Modified Silicon Surface // Proc. of the XXXII Intern. Scientific Conf. ELNANO'2013 (Kyiv, 2013). – 2013. – P. 185–187. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6551999