Формирование автоэмиссионных эмиттеров с использованием микроволнового плазмохимического синтеза наноуглеродных структур

Формирование автоэмиссионных эмиттеров с использованием микроволнового плазмохимического синтеза наноуглеродных структур

Раздел находится в стадии актуализации

Описана технология формирования наноуглеродных эмиттеров для интегральных автоэмиссионных элементов. Определены режимы получения различных углеродных пленочных структур: алмазных, графитовых, графеноподобных. Исследован низкотемпературный метод получения ультрадисперсных алмазов. Показано, что высокие эмиссионные свойства наноалмазографитовых эмиттеров обеспечиваются за счет эффекта самоорганизации алмазных нанокристаллов в графитовой пленке в процессе осаждения пленок из паров этанола при низком давлении с использованием высоконеравновесной СВЧ-плазмы. На основе разработанного метода изготовлены и исследованы экспериментальные образцы интегральных автоэмиссионных диодов с наноалмазографитовыми эмиттерами. Получены следующие параметры интегральных автоэмиссионных диодов: порог эмиссии 2,5 В/мкм, плотность эмиссионного тока 1,75 А/см. При исследовании эмиттеров лезвийного типа получена наибольшая плотность тока - более 20 А/см.
Яфаров Равиль Кяшшафович
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
Горнев Евгений Сергеевич
АО «НИИ молекулярной электроники» (г.Москва)
Орлов Сергей Николаевич
АО «НИИ молекулярной электроники» (г.Москва)
Тимошенков Сергей Петрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Тимошенков Валерий Петрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Тимошенков Алексей Сергеевич
ООО «Лаборатория микроприборов», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru