Публикации журнала

Раздел находится в стадии актуализации

Статьи

  • Рассмотрены два метода учета случайности формы включений для вычисления тензора эффективной диэлектрической проницаемости текстурированной гетерогенной среды матричного типа с включениями случайной эллипсоидальной формы: аналитический и метод моделир...

Авторы: Завгородняя Марина Игоревна , Лавров Игорь Викторович
565 - 575
  • На монокристаллических объемных образцах Cd  Hg Te (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах Cd  Hg Te/CdZn  Te (КРТ/КЦТ) ( х » 0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец...

Авторы: Голубятников Вадим Александрович , Лысенко Александр Павлович , Белов Александр Георгиевич , Каневский Владимир Евгеньевич
576 - 581
  • Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. Установлено влияние интенсивност...

Авторы: Пятилова Ольга Вениаминовна , Сыса Артем Владимирович , Гаврилов Сергей Александрович , Якимова Лариса Валентиновна , Павлов Александр Александрович , Белов Алексей Николаевич , Раскин Александр Александрович
582 - 590
  • Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. Исследован технологический маршрут ионно-лучевой литографии с применением многослойных резис...

Авторы: Лаврентьев Кирилл Константинович , Неволин Владимир Кириллович , Розанов Роман Юрьевич , Царик Константин Анатольевич , Зайцев Алексей Александрович
591 - 597
  • Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочасто...

Авторы: Сергеев Вячеслав Андреевич , Фролов Илья Владимирович , Широков Алексей Анатольевич
598 - 606
  • Методами конечных элементов и конформных отображений построены аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур при произвольных отношениях удельных поверхностных ...

Авторы: Садков Виктор Дмитриевич , Лопаткин Александр Викторович
607 - 615
  • Приведены результаты реализации методики ускорения SPICE-моделирования применительно к учету туннельных эффектов в нанометровых МОП-транзисторах. Показано, что замена сложных моделей этих эффектов табличными представлениями существенно ускоряет модел...

Авторы: Бачманов Владимир Александрович , Заболотнов Игорь Вячеславович , Лапин Александр Владимирович
616 - 624
  • Рассмотрен цифровой синтезатор гармонического сигнала с прямым вычислением гармонической функции из фазы на базе CORDIC-алгоритма. Представлены алгоритм работы синтезатора и структурная схема его реализации, не требующая блоков памяти. Получены оценк...

Авторы: Джиган Виктор Иванович , Смекалов Антон Игоревич
625 - 633
  • Выполнен анализ особенностей известных IP-ядер модуля быстрого преобразования Фурье, а также его основных структурных блоков. Определены проблемы создания полностью платформонезависимого HDL-описания этого модуля для использования на основе ПЛИС, пол...

Авторы: Переверзев Алексей Леонидович , Силантьев Александр Михайлович
634 - 643
  • Проведено моделирование первичного преобразователя скорости потока газа мембранного типа на основе калориметрического принципа работы. Рассмотрено несколько вариантов конструкции сенсора. Проанализированы результаты численного моделирования различных...

Авторы: Королев Михаил Александрович , Катеев Максим Валерьевич , Гусев Евгений Эдуардович
644 - 747
  • Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается боле...

Авторы: Кожухов Максим Владимирович
648 - 651
  • Рассмотрена проблема выбора структурной схемы модулятора при проектировании дельта-сигма-АЦП, предназначенных для мультистандартной обработки. Предложен подход по созданию архитектуры модулятора и выявлению ограничений, связанных со спецификой примен...

Авторы: Тимошенков Валерий Петрович , Ваньков Виктор Александрович , Стародубцев Константин Сергеевич
652 - 655

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru