Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. Установлено влияние интенсивности массопереноса ионов Ag за счет градиента температур на морфологию поверхности формируемой структуры в зависимости от линейного размера маски-катализатора.
1. Gongora-Rubio M.R., Espinoza-Vallejos P., Sola-Laguna L., Santiago-Aviles J.J. Over-view of low temperature co-fired ceramics tape technology for meso-system technology (MsST) // Sensors and Actuators A. – 2011. – Vol. 89. –P. 222241.
2. Waits C.M., Morgan B., Kastantin M., Ghodssi R. Microfabrication of 3D silicon MEMS structures using gray-scale lithography and deep reactive ion etching // Sensors and Actuators A: Physical. – 2005. – Vol. 119. №1. – P. 245–253.
3. Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2 / H. Fukumoto, I. Fujikake, Y. Takao et al. // Plasma Sources Sci. Technol. – 2009. – Vol. 18. P. 045027045043.
4. Kovacs G.T.A., Maluf N.I., Petersen K.E. Bulk micromachining of silicon // Pro. of the IEEE. – 1998. – Vol. 86. – №. 8. – P. 15361551.
5. Barillaro G., Nannini A., Piotto M. Electrochemical etching in HF solution for silicon mi-cromachining // Sensors and Actuators A: Physical. – 2002. – Vol. 102. – № 1. – P. 195201.
6. The change in the mechanism of the porous silicon formation during anodic polarization / S.A. Gavrilov, T.N. Zavaritskaya, V.A. Karavanskii et al. // Russian Journal of Electrochemistry. – 1997. – Vol. 33. – №. 9. – P. 985989.
7. Gavrilov S.A., Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I. A Mechanism of Oxygen-Induced Passivation of Porous Silicon in the HF:HCl:C2H5OH Solutions // Semiconductors. – 2002. Vol. 36. № 1. Р. 98–101.
8. Yae S. Catalytic activity of noble metals for metal-assisted chemical etching of silicon // Nanoscale
Research Letters. – 2012. – Vol. 7. – № 1. – P. 15.
9. Huang Z. Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon: A Review // Adv. Mater. – 2011. –Vol. 23. – P. 285–308.
10. Li X. Metal-assisted chemical etching in HF/H2O2 produces porous silicon // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – № 16. – P. 25722574.
11. Peng Q.K., Huang P.Z., Zhu J. Fabrication of large area silicon nanowire p–n junction diode arrays // Advanced Materials. – 2004. – Vol. 16. – № 1. – P. 7376.
12. Guo H., Yang H., Zhang Y. Betavoltaic microbatteries using porous silicon (Kobe, Ja-pan, 2007). // IEEE 20th Intern. Conf. on. Micro Electro Mechanical Systems – 2007. – P. 867870.
13. Duggirala R., Li H., Lal A. High efficiency β radioisotope energy conversion using re-ciprocating electromechanical converters with integrated betavoltaics // Appl. Phys. Lett. – 2008. – Vol. 92. – № 15. – P. 154104154104-3.
14. Mohamadian M., Feghhi S. A. H., Afarideh H. Conceptual design of GaN betavoltaic battery using in cardiac pacemaker // Proc. of 13th Intern. Сonf. on emerging of nuclear energy systems. – 2007. – P. 83.
15. Рипан P., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. Т. 2: учебник: пер. с румынского. М.: Мир, 1972. 872 с.
16. Никольский Б. П. Справочник химика. – М.: Рипол Классик, 2014. Т.6. Вып. 1. 522 с.
17. Role of Ag+ ion concentration on metal-assisted chemical etching of silicon / O.V. Pyati-lova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov et al. // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol. 213. – P. 103108.
18. Chartier C., Bastide S., Lévy-Clément C. Metal-assisted chemical etching of silicon in HF–H2O2 // Electrochimica Acta. – 2008. – Vol. 53. – № 17. – P. 55095516.