1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 539.23Технология микро- и наноэлектроникиEffect of Ionic Ag Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon SurfaceВлияние переноса ионов Ag на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремнияПятилова Ольга Вениаминовна ПятиловаОльга Вениаминовна VeniaminovnaPyatilova OlgaPyatilova Olga VeniaminovnaСыса Артем Владимирович СысаАртем Владимирович VladimirovichSysa ArtemSysa Artem VladimirovichГаврилов Сергей АлександровичГавриловСергей АлександровичGavrilovSergey A.Sergey A. GavrilovЯкимова Лариса Валентиновна ЯкимоваЛариса Валентиновна ValentinovnaYakimova LarisaYakimova Larisa ValentinovnaПавлов Александр Александрович ПавловАлександр Александрович AleksandrovichPavlov AleksandrPavlov Aleksandr AleksandrovichБелов Алексей Николаевич БеловАлексей Николаевич NikolaevichBelov AlekseyBelov Aleksey NikolaevichРаскин Александр Александрович РаскинАлександр Александрович AleksandrovichRaskin AleksandrRaskin Aleksandr AleksandrovichУльяновский государственный университетНациональный исследовательский университет «МИЭТ»Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияИнститут нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия582590http://ivuz-e.ru/issues/6-_2015/vliyanie_perenosa_ionov_ag_na_lokalizatsiyu_metall_stimulirovannogo_travleniya_poverkhnosti_kremniya/http://ivuz-e.ru/download/6_2015_1821.pdf

Some features of the 3D silicon structures formation by locally formation of porous silicon as a sacrificial layer have been studied. It has been formed by metal-assisted chemical etching of a single crystal wafer of Si with silver films (50 and 100 nm) as a catalyst. The influence of ionic Ag mass transfer, caused by the temperature gradient, on the surface morphology of the formed structure according to the linear size of the mask-catalyst has been determined.

Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. Установлено влияние интенсивности массопереноса ионов Ag за счет градиента температур на морфологию поверхности формируемой структуры в зависимости от линейного размера маски-катализатора.

наноструктурированный кремнийхимическое травлениепленка серебракатализатормассоперенос Gongora-Rubio M.R., Espinoza-Vallejos P., Sola-Laguna L., Santiago-Aviles J.J. Over-view of low temperature co-fired ceramics tape technology for meso-system technology (MsST) // Sensors and Actuators A. – 2011. – Vol. 89. –P. 222241.Waits C.M., Morgan B., Kastantin M., Ghodssi R. Microfabrication of 3D silicon MEMS structures using gray-scale lithography and deep reactive ion etching // Sensors and Actuators A: Physical. – 2005. – Vol. 119.  №1. – P. 245–253.Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2 / H. Fukumoto, I. Fujikake, Y. Takao et al. // Plasma Sources Sci. Technol. – 2009. – Vol. 18.  P. 045027045043.Kovacs G.T.A., Maluf N.I., Petersen K.E. Bulk micromachining of silicon // Pro. of the IEEE. – 1998. – Vol. 86. – №. 8. – P. 15361551.Barillaro G., Nannini A., Piotto M. Electrochemical etching in HF solution for silicon mi-cromachining // Sensors and Actuators A: Physical. – 2002. – Vol. 102. – № 1. – P. 195201.The change in the mechanism of the porous silicon formation during anodic polarization / S.A. Gavrilov, T.N. Zavaritskaya, V.A. Karavanskii et al. // Russian Journal of Electrochemistry. – 1997. – Vol. 33. – №. 9. – P. 985989.Gavrilov S.A., Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I. A Mechanism of Oxygen-Induced Passivation of Porous Silicon in the HF:HCl:C2H5OH Solutions // Semiconductors. – 2002.  Vol. 36. № 1.  Р. 98–101.Yae S. Catalytic activity of noble metals for metal-assisted chemical etching of silicon // NanoscaleResearch Letters. – 2012. – Vol. 7. – № 1. – P. 15.Huang Z. Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon: A Review // Adv. Mater. – 2011. –Vol. 23. – P. 285–308.Li X. Metal-assisted chemical etching in HF/H2O2 produces porous silicon // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – № 16. – P. 25722574.Peng Q.K., Huang P.Z., Zhu J. Fabrication of large area silicon nanowire p–n junction diode arrays // Advanced Materials. – 2004. – Vol. 16. – № 1. – P. 7376.Guo H., Yang H., Zhang Y. Betavoltaic microbatteries using porous silicon (Kobe, Ja-pan, 2007). // IEEE 20th Intern. Conf. on. Micro Electro Mechanical Systems – 2007. – P. 867870.Duggirala R., Li H., Lal A. High efficiency β radioisotope energy conversion using re-ciprocating electromechanical converters with integrated betavoltaics // Appl. Phys. Lett. – 2008. – Vol. 92. – № 15. – P. 154104154104-3.Mohamadian M., Feghhi S. A. H., Afarideh H. Conceptual design of GaN betavoltaic battery using in cardiac pacemaker // Proc. of 13th Intern. Сonf. on emerging of nuclear energy systems. – 2007. – P. 83.Рипан P., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. Т. 2: учебник: пер. с румынского.  М.: Мир, 1972.  872 с.Никольский Б. П. Справочник химика. – М.: Рипол Классик, 2014.  Т.6.  Вып. 1.  522 с.Role of Ag+ ion concentration on metal-assisted chemical etching of silicon / O.V. Pyati-lova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov et al. // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol. 213. – P. 103108.Chartier C., Bastide S., Lévy-Clément C. Metal-assisted chemical etching of silicon in HF–H2O2 // Electrochimica Acta. – 2008. – Vol. 53. – № 17. – P. 55095516.