Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры.
Сергеев Вячеслав Андреевич
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия
Фролов Илья Владимирович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
Широков Алексей Анатольевич
Ульяновский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
1. Пряников В. С. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. – М. : Энергия, 1978. – 112 с.
2. Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах. – М. : Физматлит, 2012. – 512 с.
3. Vandamme L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of electronic de-vices // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. Vol. 41. N. 11. P. 2176–2187.
4. Jones B. K. Electrical noise as a measure of quality and reliability in electronic devices // Advances in Electronics and Electron Physics. – 1994. Vol. 87. – P. 201–257.
5. Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes / S. Bychikhin, D. Poganya, L. K. J. Vandamme et al. // J. of Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 123714.
6. Palenskis V., Matukas J., Pralgauskaite S. Light-emitting diode quality investigation via low-frequency noise characteristics // Solid-State Electronics. 2010. Vol. 54. P. 781786.
7. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах / А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров и др. // ФТП. – 2012. – Т.46. – №2. – С. 219–223.
8. Sergeev V.A., Frolov I. V., Shirokov A.A., Shcherbatyuk A. N. Probability characteristics of electrical noise in heterojunction-based light emitting diodes // Semiconductors. 2011. N. 13. – P. 50–55.
9. Фролов И. В., Широков А. А. Низкочастотные шумы светодиодов InGaN/SiC // Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тез. докл. 9-й Всероссий-ской конференции (13 – 15 июня 2013 г., Москва). – СПб., 2013. – С. 139–140.
10. Сергеев В. А., Фролов И. В., Широков А. А., Низаметдинов А. М. Связь характе-ристик низкочастотного шума светодиодов с распределением концентрации примесей и плотности тока в гетероструктурах // Нелинейный мир. – 2013. – №7. – С. 493–498.
11. Rolando S. Duran, Grover L. Larkins, Carolyne M. Van Vliet, Hadis Morkoc. Genera-tion-recombination noise in gallium nitride-based quantum well structures // J. of Applied Phys-ics. – 2003. –
Vol. 93. – N. 9. – P. 5337–5345.
12. Бочкарева Н. И., Ребане Ю. Т., Шретер Ю. Г. Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная лате-ральная локализация носителей
в квантовых ямах InGaN/GaN // ФТП. – 2014. – Т.48. – №8. – С.1107–1116.
13. Current and optical noise of GaN/AlGaN light emitting diodes / S. Sawyer, S.L. Rumyantsev,
M.S. Shur et al. // J. Appl. Phys. – 2006. Vol. 100. P. 034504.
14. Сергеев В. А., Фролов И. В., Широков А. А. Связь распределения примеси в гете-роструктурах светодиодов с изменением мощности излучения в начале ускоренных ис-пытаний: материалы Международной научно-технической конференции, 1 – 5 декабря 2014 г. INTERMATIC-2014. Ч.4. – М.: МИРЭА, 2014. – С. 167–169.