Персоналии

Описан программно-аппаратный комплекс для измерения характеристик электрических и оптических шумов светоизлучающих  диодов (СИД) в диапазоне частот от 1 до 40 кГц. Методом дискретных выборок исследованы электрические  шумы нескольких типов гетеропереходных СИД: красных с квантовыми ямами AlInGaP/GaAs, зеленых и голубых

• Просмотров: 1118 | Комментариев : 0

Причины и механизмы изменения квантовой эффективности и других характеристик гетероструктур InGaN/GaN в различных режимах работы активно исследуются. Представлены результаты экспериментального исследования изменения внешней квантовой эффективности маломощных InGaN/GaN зеленых светоизлучающих диодов с квантовой ямой и без нее в области пространственного заряда (ОПЗ) гетероструктуры в режиме ускоренных испытаний. Установлено, что после 8 ч испытаний при температуре 300 К в импульсном режиме с амплитудой импульсов тока 0,5 А, длительностью импульсов 100 мкс и скважностью 100 у всех светодиодов без квантовой ямы в ОПЗ внешняя квантовая эффективность увеличивается, а у светодиодов с квантовой ямой уменьшается во всем диапазоне рабочих токов. Показано, что при низком уровне инжекции интенсивность излучения светодиодов без квантовой ямы в ОПЗ определяется рекомбинационными процессами по механизму Шокли - Рида - Холла, а с квантовой ямой - туннельно-рекомбинационными процессами. Токовая тренировка в форсированном импульсном режиме зеленых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN в течение 4 ч может быть использована как технологическая операция для стабилизации их светотехнических характеристик и выявления потенциально ненадежных изделий в условиях массового производства.

• Просмотров: 2189 | Комментариев : 0

Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры.

• Просмотров: 1707 | Комментариев : 0