1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.391.822Микроэлектронные приборы и системыDouble Stage Low Frequency Noise Equivalent Circuit of Green InGaN LEDs for Description of Noise CharacteristicsДвухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристикСергеев Вячеслав АндреевичСергеевВячеслав АндреевичSergeevVyacheslav A.Vyacheslav A. SergeevФролов Илья ВладимировичФроловИлья ВладимировичFrolovIlya V.Ilya V. FrolovШироков Алексей Анатольевич ШироковАлексей Анатольевич AnatolevichShirokov AlekseyShirokov Aleksey AnatolevichУльяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, РоссияУльяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Ульяновск, РоссияУльяновский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия598606http://ivuz-e.ru/issues/6-_2015/dvukhsektsionnaya_nizkochastotnaya_ekvivalentnaya_skhema_zelenykh_ingan_svetodiodov_dlya_opisaniya_sh/http://ivuz-e.ru/download/6_2015_1826.pdf

To explain the current dependencies of the mean square of the low-frequency noise of green InGaN light emitting diodes, the double stage low-frequency noise equivalent circuit of LED has been offered. It has been shown that the non-monotonic dependence of the low-frequency noise of the LED’s injection current can be explained by two low-frequency noise generators: noise current generator, localized near the heterojunction and determined by tunnel-recombination processes at the interface, and the generator being determined by the recombination processes in the active region of the structure.

Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры.

гетеропереходный светодиоднизкочастотный шумсредний квадрат низкочастотного шумового токатоковая зависимостьшумовая эквивалентная схемагенераторы шумового токатуннельно-рекомбинационные процессы Пряников В. С. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. – М. : Энергия, 1978. – 112 с.Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах. – М. : Физматлит, 2012. – 512 с.Vandamme L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of electronic de-vices // IEEE Trans. Electron Devices.  1994.  Vol. 41.  N. 11.  P. 2176–2187.Jones B. K. Electrical noise as a measure of quality and reliability in electronic devices // Advances in Electronics and Electron Physics. – 1994.  Vol. 87. – P. 201–257.Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes / S. Bychikhin, D. Poganya, L. K. J. Vandamme et al. // J. of Appl. Phys.  2005.  Vol. 97.  P. 123714.Palenskis V., Matukas J., Pralgauskaite S. Light-emitting diode quality investigation via low-frequency noise characteristics // Solid-State Electronics.  2010.  Vol. 54.  P. 781786.Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах / А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров и др. // ФТП. – 2012. – Т.46. – №2. – С. 219–223.Sergeev V.A., Frolov I. V., Shirokov A.A., Shcherbatyuk A. N. Probability characteristics of electrical noise in heterojunction-based light emitting diodes // Semiconductors.  2011.  N. 13. – P. 50–55.Фролов И. В., Широков А. А. Низкочастотные шумы светодиодов InGaN/SiC // Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тез. докл. 9-й Всероссий-ской конференции (13 – 15 июня 2013 г., Москва). – СПб., 2013. – С. 139–140.Сергеев В. А., Фролов И. В., Широков А. А., Низаметдинов А. М. Связь характе-ристик низкочастотного шума светодиодов с распределением концентрации примесей и плотности тока в гетероструктурах // Нелинейный мир. – 2013. – №7. – С. 493–498.Rolando S. Duran, Grover L. Larkins, Carolyne M. Van Vliet, Hadis Morkoc. Genera-tion-recombination noise in gallium nitride-based quantum well structures // J. of Applied Phys-ics. – 2003. –Vol. 93. – N. 9. – P. 5337–5345.Бочкарева Н. И., Ребане Ю. Т., Шретер Ю. Г. Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная лате-ральная локализация носителейв квантовых ямах InGaN/GaN // ФТП. – 2014. – Т.48. – №8. – С.1107–1116.Current and optical noise of GaN/AlGaN light emitting diodes / S. Sawyer, S.L. Rumyantsev,M.S. Shur et al. // J. Appl. Phys. – 2006.  Vol. 100.  P. 034504.Сергеев В. А., Фролов И. В., Широков А. А. Связь распределения примеси в гете-роструктурах светодиодов с изменением мощности излучения в начале ускоренных ис-пытаний: материалы Международной научно-технической конференции, 1 – 5 декабря 2014 г. INTERMATIC-2014. Ч.4. – М.: МИРЭА, 2014. – С. 167–169.