На монокристаллических объемных образцах Cd Hg Te (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах Cd Hg Te/CdZn Te (КРТ/КЦТ) ( х » 0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец вместе с криостатом вращался в поле электромагнита на угол от 0 до 360° с шагом 6°. Показано, что для объемного образца КРТ p -типа при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого напряжения представляют собой синусоиды, т.е. коэффициент Холла не зависит от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличаются от синусоидальных.
Белов Александр Георгиевич
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
Каневский Владимир Евгеньевич
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
1. Белов А.Г., Белогорохов А.И., Лакеенков В.М. // Об особенностях электрофизиче-ских свойств гетероструктур CdxHg1xTe/CdZnTe // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. – № 8. С. 917919.
2. Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdxHg1xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии» / П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. – № 10. С. 1203–1206.
3. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe / П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полу-проводников. 2004. Т. 38. – №10. С. 1207–1210.
4. О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов CdxHg1xTe при Т = 77К / А.Г. Белов, И.М. Белова, В.Е. Каневский и др. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. – №10. С. 1178–1181.
5. Белов А.Г., Белова И.М., Каневский В.Е. // Разработка математической модели для описания полевых зависимостей коэффициента Холла для твердых растворов CdxHg1xTe при Т = 77К // Изв. МГИУ. Информационные технологии. 2007. №1. С. 9–13.
6. Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Белов А.Г. // Вольт-амперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах CdxHg1xTe/CdTe // ФТП. 1990. Т. 24. – № 5. С. 923–926.