Персоналии

Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.

• Просмотров: 567 | Комментариев : 0

Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и CdZn  Te при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о существовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка.

• Просмотров: 1437 | Комментариев : 0

На монокристаллических объемных образцах Cd  Hg Te (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах Cd  Hg Te/CdZn  Te (КРТ/КЦТ) ( х » 0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец вместе с криостатом вращался в поле электромагнита на угол от 0 до 360° с шагом 6°. Показано, что для объемного образца КРТ p -типа при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого напряжения представляют собой синусоиды, т.е. коэффициент Холла не зависит от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличаются от синусоидальных.

• Просмотров: 1410 | Комментариев : 0

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизолирующего арсенида галлия п -типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсивности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент которой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки - значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения, - суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экспериментальные результаты.

• Просмотров: 1367 | Комментариев : 0