Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизолирующего арсенида галлия п -типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсивности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент которой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки - значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения, - суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экспериментальные результаты.
Белов Александр Георгиевич
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
Строганкова Наталия Ильинична
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»
1. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизм протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 11. С. 12811308.
2. Ковалев А.Н. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2007. № 2. С. 417.
3. Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe / Л.А. Косяченко, О.Л. Маслянчук, С.В. Мельничук и др. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 6. С. 729734.
4. Махний В.П. Полуизолирующие слои теллурида кадмия // Журнал технической физики. 2005. Т. 75. – Вып.11. С. 122,123.
5. Способы снижения переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения / В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев, А.П. Лысенко и др. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2014. Т. 80. № 1. С. 3538.
6. Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников / А.Г. Белов, В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев и др. // ПиТЭ. 2014. № 3. С. 9396.