Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и CdZn Te при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о существовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка.
Белов Александр Георгиевич
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
Каневский Владимир Евгеньевич
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
1. Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полу-проводникам с помощью оптического излучения/ В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев, А.П. Лысенко и др. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. – 2014. – Т. 80. – № 1. – С. 35–38.
2. Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных по-лупроводников/ В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев, А.П. Лысенко и др.// Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 3. – С. 93–96.
3. Модификация метода Ван дер Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников / А.Г. Белов, В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев и др. // Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 5. – С. 115–119.
4. Specific features of the photoconductivity of semi_insulating cadmium telluride / V.A. Golubyatnikov, F.I. Grigor’ev, A.P. Lysenko et al.// Semiconductors. – 2014. – Vol. 48. – N. 13. – P. 1700–1703.
5. Лысенко А.П., Голубятников В.А., Белов А.Г., Строганкова Н.И. Влияние разме-ра области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость // Изв. вузов. Электроника. – 2015. – Т. 20. – №2. – С. 174–181.
6. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: учеб. пособие. –Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – 426 с.
7. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2003. – 480 с.