1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.315.592Материалы электронной техникиInvestigation of Photo-Electric Properties of High-Ohmic Cadmium Telluride SamplesИсследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинкаЛысенко Александр Павлович ЛысенкоАлександр Павлович PavlovichLysenko AleksandrLysenko Aleksandr PavlovichГолубятников Вадим Александрович ГолубятниковВадим Александрович AleksandrovichGolubyatnikov VadimGolubyatnikov Vadim AleksandrovichБелов Александр Георгиевич БеловАлександр Георгиевич GeorgievichBelov AleksandrBelov Aleksandr GeorgievichКаневский Владимир Евгеньевич КаневскийВладимир Евгеньевич EvgenevichKanevskiy VladimirKanevskiy Vladimir EvgenevichНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики»АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия512http://ivuz-e.ru/issues/1-_2016/issledovanie_fotoelektricheskikh_svoystv_obraztsov_vysokoomnogo_tellurida_kadmiya_tsinka/http://ivuz-e.ru/download/1_2016_1744.pdf

The voltage-current (VC) and lux-current (LC) room temperature characteristics of high-ohmic CdTe (CT) and Cd1-YZnYTe (CZT) samples with various illumination intensities have been investigated. The dependencies of the short-circuit current and open-circuit voltage with light intensity, when the CT and CZT-samples were illuminated by 740-nanometer red color radiation, have been also investigated. It has been shown that the lux-current characteristics of zinc cadmium telluride sample depend on the applied voltage polarity; the voltage-current characteristics strongly depend on the light intensity and have peculiar fracture at the coordinate zero-point. It has been assumed that within the sample the introduced electric field due to the technological ingot growth and annealing conditions exists.

Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и CdZn  Te при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о существовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка.

теллурид кадмия-цинкаподсветка образцоввольт-амперные и люкс-амперные характеристикиток короткого замыканиянапряжение холостого хода Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полу-проводникам с помощью оптического излучения/ В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев, А.П. Лысенко и др. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. – 2014. – Т. 80. – № 1. – С. 35–38.Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных по-лупроводников/ В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев, А.П. Лысенко и др.// Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 3. – С. 93–96.Модификация метода Ван дер Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников / А.Г. Белов, В.А. Голубятников, Ф.И. Григорьев и др. // Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 5. – С. 115–119.Specific features of the photoconductivity of semi_insulating cadmium telluride / V.A. Golubyatnikov, F.I. Grigor’ev, A.P. Lysenko et al.// Semiconductors. – 2014. – Vol. 48. – N. 13. – P. 1700–1703.Лысенко А.П., Голубятников В.А., Белов А.Г., Строганкова Н.И. Влияние разме-ра области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость // Изв. вузов. Электроника. – 2015. – Т. 20. – №2. – С. 174–181.Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: учеб. пособие. –Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – 426 с.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2003. – 480 с.