Персоналии

Владимир Евгеньевич Каневский
Кандидат технических наук, старший научный сотрудник АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет» (Россия, 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1)

Статьи автора

Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и CdZn  Te при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о существовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка.

  • Просмотров: 774 | Комментариев : 0

Бесконтактный неразрушающий метод дает возможность определять концентрацию свободных электронов в образцах антимонида индия InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области, снятым при комнатной температуре. Разработана компьютерная программа, которая с помощью соотношений Крамерса - Кронига находит значение характеристического волнового числа. Построенная расчетная градуировочная зависимость позволяет по известному значению характеристического волнового числа определить значение концентрации электронов. Показано, что данная зависимость описывается кубическим полиномом. При проведении расчетов учтена зависимость эффективной массы электронов от энергии. Установлено, что при определении концентрации электронов необходимо учитывать плазмон-фононное взаимодействие, в частности для значений N £ 5·10 см. Проведена оценка систематической погрешности определения N , которая появляется, если не принимать во внимание плазмон-фононное взаимодействие. Разработанное программное обеспечение позволяет по экспериментально измеренным спектрам отражения вычислять значения концентрации электронов N , хранить и обрабатывать полученные результаты. Программа опробована на примере спектра отражения образца сильнолегированного n -InSb.

  • Просмотров: 935 | Комментариев : 0

На монокристаллических объемных образцах Cd  Hg Te (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах Cd  Hg Te/CdZn  Te (КРТ/КЦТ) ( х » 0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец вместе с криостатом вращался в поле электромагнита на угол от 0 до 360° с шагом 6°. Показано, что для объемного образца КРТ p -типа при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого напряжения представляют собой синусоиды, т.е. коэффициент Холла не зависит от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличаются от синусоидальных.

  • Просмотров: 737 | Комментариев : 0

Предложен бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в монокристаллических образцах твердых растворов Cd  HgTe и многослойных эпитаксиальных гетероструктурах на их основе по спектрам отражения в дальней инфракрасной области. На спектральной зависимости коэффициента отражения, полученной при комнатной температуре, определены характеристическая точка и отвечающее ей волновое число. С помощью рассчитанных градуировочных кривых получено значение концентрации тяжелых дырок. Показано, что при построении градуировочных кривых необходимо учитывать взаимодействие плазменных колебаний с продольными оптическими фононами.

  • Просмотров: 697 | Комментариев : 0