Особенности фотопроводимости полуизолирующего теллурида кадмия

Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.
Вадим Александрович Голубятников
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Федор Иосифович Григорьев
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»
Александр Юрьевич Лысенко
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Наталия Ильинична Строганкова
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»
Мухамед Барасбиевич Шадов
Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Александр Георгиевич Белов
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия
Поделиться