Персоналии

Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.

• Просмотров: 591 | Комментариев : 0

Проведен расчет зависимости концентрации избыточных носителей заряда от времени в процессе затухания фотопроводимости. В расчете учтено нарушение локальной электронейтральности, что привело к необходимости использовать в системе уравнений, описывающих данный процесс, уравнение Пуассона. В результате разрешения новой системы получено весьма громоздкое нелинейное  дифференциальное уравнение. Установлены критерии, при соблюдении которых это уравнение сводится к хорошо известному, традиционно используемому для описания процесса затухания фотопроводимости после обрыва светового импульса.

• Просмотров: 1162 | Комментариев : 0