Особенность реализации метода затухания фотопроводимости при измерении рекомбинационных параметров полупроводника

Раздел находится в стадии актуализации

Проведен расчет зависимости концентрации избыточных носителей заряда от времени в процессе затухания фотопроводимости. В расчете учтено нарушение локальной электронейтральности, что привело к необходимости использовать в системе уравнений, описывающих данный процесс, уравнение Пуассона. В результате разрешения новой системы получено весьма громоздкое нелинейное  дифференциальное уравнение. Установлены критерии, при соблюдении которых это уравнение сводится к хорошо известному, традиционно используемому для описания процесса затухания фотопроводимости после обрыва светового импульса.
Шадов Мухамед Барасбиевич
Московский государственный институт электроники и математики(технический университет)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru