<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories/><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Особенность реализации метода затухания фотопроводимости при измерении рекомбинационных параметров 
полупроводника</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Шадов Мухамед Барасбиевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Шадов</surname><given-names>Мухамед Барасбиевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Barasbievich</surname><given-names>Shadov Mukhamed</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Shadov Mukhamed Barasbievich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Московский государственный институт электроники и математики(технический университет)</aff></contrib-group><fpage>75</fpage><lpage>79</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/8-_2010/osobennost_realizatsii_metoda_zatukhaniya_fotoprovodimosti_pri_izmerenii_rekombinatsionnykh_parametr/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The dependence of the concentration of excess charge carriers on time during the photoconductivity damping process has been calculated. In the calculation the electrical neutrality violation has been taken into account, which has led to the necessity to use in the system of the equations, describing this process, the Poisson equation. As a result of the new system resolution, a very cumbersome nonlinear differential equation has been obtained. The criteria, while keeping to which this equation is reduced to the known one, traditionally used for describing the photoconductivity damping process after the light pulse break, have been found.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Проведен расчет зависимости концентрации избыточных носителей заряда от времени в процессе затухания фотопроводимости. В расчете учтено нарушение локальной электронейтральности, что привело к необходимости использовать в системе уравнений, описывающих данный процесс, уравнение Пуассона. В результате разрешения новой системы получено весьма громоздкое нелинейное  дифференциальное уравнение. Установлены критерии, при соблюдении которых это уравнение сводится к хорошо известному, традиционно используемому для описания процесса затухания фотопроводимости после обрыва светового импульса.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>уравнение Пуассона</kwd><kwd>фотопроводимость</kwd><kwd>время жизни электронов и дырок</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
