Персоналии

Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.

• Просмотров: 591 | Комментариев : 0

Исследована зависимость тепловых характеристик ограничителей напряжения при прохождении импульсной перегрузки. Проанализированы зависимости импульсного напряжения ограничения и тока от времени. На основе анализа зависимостей проведены расчеты тепловых характеристик ограничителей напряжения. Показано, что параметры ограничителей напряжения деградируют при достижении плотности тока 160 - 300 А/см и критической температуры 250 - 300 °С. Представлены зависимости теплового сопротивления и критической температуры ограничителей напряжения от плотности тока и длительности импульса.

• Просмотров: 1404 | Комментариев : 0

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов.

• Просмотров: 1436 | Комментариев : 0