Исследование физических процессов в БИСПИН-структурах в режиме пульсаций

Раздел находится в стадии актуализации

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов.
Быков Дмитрий Васильевич
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»
Григорьев Федор Иосифович
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»
Лысенко Александр Павлович
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва, Россия
Строганкова Наталия Ильинична
Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru