Персоналии

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов.

• Просмотров: 1405 | Комментариев : 0

Суб-100-нм КМОП-технология с high-k подзатворным диэлектриком - одна из базовых технологий изготовления цифровых, аналоговых и радиочастотных СБИС и систем на кристалле. В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45-нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объемном кремнии и КНИ. Указаны эффекты, возникающие при замене диэлектрика SiO на high-k диэлектрик. Описан выбор и настройка физических моделей для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком в системе TCAD Sentaurus Synopsys. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO и HfO и на границах HfO/Si от дозы ионизирующего излучения. Проведено моделирование нанометровых МОП-транзисторов с high-k диэлектриком, изготовленных по технологии на объемном кремнии и КНИ. Показано, что для нанометровых КНИ-структур увеличение тока стока после облучения обусловливается накоплением заряда в боковом оксиде. Достигнуто приемлемое соотношение между результатами моделирования и экспериментальными данными. Результаты моделирования подтверждают, что суб-100-нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком по сравнению с традиционными МОП-транзисторами с диэлектриком SiO подавляют ток утечки. Однако остальные важные параметры суб-100-нм МОП-транзисторов с high-k диэлектриком более чувствительны к ионизационному облучению.

• Просмотров: 2495 | Комментариев : 0