Персоналии

Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.

• Просмотров: 568 | Комментариев : 0

В позитронно-эмиссионной томографии существуют факторы, которые искажают получаемую томограмму. Одним из таких факторов является геометрическое ослабление излучения. С помощью численного моделирования исследовано влияние геометрического ослабления излучения на качество реконструкции пространственного распределения источников излучения в зависимости от габаритов объекта и радиуса вращения позиционно-чувствительного детектора. Предложен итерационный метод коррекции искажений, обусловленных геометрическим ослаблением излучения. Рассчитано равномерное отклонение восстановленного изображения от заданного в зависимости от количества итераций коррекционного алгоритма. Полученные результаты могут быть использованы как для улучшения качества реконструкции томограмм при использовании стандартных алгоритмов восстановления пространственного распределения источников излучения, так и для разработки нового программного обеспечения существующих томографов.

• Просмотров: 1758 | Комментариев : 0