Исследовано влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области з...
Впервые аналитически показано, что в базисной плоскости кристаллов GaAs могут распространяться продольные и поперечные поверхностные акустоэлектрические волны, которые, в отличие от известных поперечных волн ГуляеваБлюстейна, локализованы в приповер...