Приведены результаты реализации методики ускорения SPICE-моделирования применительно к учету туннельных эффектов в нанометровых МОП-транзисторах. Показано, что замена сложных моделей этих эффектов табличными представлениями существенно ускоряет моделирование схем, содержащих указанные транзисторы.
1. Денисенко В.В. Новые физические эффекты в нанометровых МОП-транзисторах // Компоненты и технологии. – 2009. – №12. – С. 157–162.
2. Prabhakar V.S.V., Lal Kishore K. Device Modeling Solutions to Reduce GIDL Current in Low Power VLSI Circuits // International J. of Electrical, Electronics and Data Communica-tion. – 2013. – Vol. 1. – Iss. 9. –
P. 21.
3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. –
М.: Физматлит, 2010. – 408 с.
4. Model definition of MOS model 11, level 1102. NXP Semiconductors, July 2011.