Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. Исследован технологический маршрут ионно-лучевой литографии с применением многослойных резистов. Отработана технология создания непрерывной сетки заземленных знаков совмещения поверх чувствительного к ионам резиста для визуализации знаков совмещения на диэлектрической подложке методом ионной микроскопии.
. Wanzenboeck H.D., Waid S. Focused Ion Beam Lithography // Recent Advances in Nanofabri-cation Techniques and Applications. – 2011. – Dec. – Р. 27–50.
2. Yongqi Fu, Ngoi Kok Ann Bryan. Focused ion beam direct fabrication of microoptical elements: features compared with laser beam and electron beam direct writing // Innovation in Manufacturing Systems and Technology (IMST). – 2004. – Р. 1–7.
3. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-write ion beam lithography // J. of Nanotechnology. – 2014. –
Vol. 2014. – Р. 170415-1 – 170415-26.
4. Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Tsarik K.A., Chudinov A.A. A distribution of Ga+ ions in a silicon substrate for nanodimensional masking // Russian Microelectronics. – 2014. – Vol. 43.– N. 1. – P. 15–20.
5. High resolution and high density ion beam lithography employing HSQ resist / L. Bruch-haus, S. Bauerdick, L. Peto et al. // Microelectronic Engineering. – 2012. – Vol. 97. – P. 48–50.
6. A low magnification focused ion beam system with 8 nm spot size / R.L. Kubena, J.W. Ward,
F.P. Stratton et al. // Vac. Sci. Technol. – 1991. – Vol. 9. – N. 6. – P. 3079–3083.
7. Deckert C.A., Peters D.A. Optimization of thin film wetting and adhesion behavior // Thin solid films. – 1980. – Vol. 68. – Iss. 2. – P. 417–420.
8. Focused ion beam lithography: overview and new approaches / K. Arshak, M. Mihov, A. Arshak et al. // Proc. 24th International Conference on Microelectronics (MIEL 2004). – 2004. – Vol. 2. – P. 459–462.
9. Bessonova A.V., Nevolin V.K., Romashkin A.V., Tsarik K.A. Systematic features of the formation of semiconductor nanostructures using a focused ion beam // Semiconductors. – 2012. – Vol. 46.– N. 13. –P. 1604–1607.