Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик.
1. Mukherjee C., Maiti C.K. Simulation and modeling of self-heating effects in heterojunc-tion bipolar transistors //
J. of Basic and Applied Physics. 2014. Vol. 3. N. 1. P. 1625.
2. Sahoo A.K. A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs //
IEEE Trans. on Electron Devices. 2012. Vol. 59. N. 10. P. 26192625.
3. Weiß M. Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe: C HBTs // Proc. of IEEE
International Conf. of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). 2013. P. 12.
4. Петросянц К.О., Торговников Р.А. Моделирование структуры SiGe гетеропере-ходного транзистора с учетом эффекта саморазогрева // Электроника, микро- и наноэлек-троника / Под. ред. В.Я. Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2011. С. 267–273.
5. Petrosyants K.O., Torgovnikov R.A. Electro-thermal modeling of trench-isolated SiGe HBTs using TCAD //
Proc. of Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). 2015. P. 172–175.
6. Synopsys Sentaurus TCAD, ver. J-2014.09. URL: www.synopsys.com (дата обраще-ния: 18.08.2015).
7. 230 GHz self-aligned SiGeC HBT for optical and millimeter-wave applications / P. Chevalier, C. Fellous,
Z. Rubaldo et al. // IEEE J. of Solid-State Circuits. 2005. Vol. 40. N. 10. P. 2025–2034.