Персоналии

Евгений Наумович Вигдорович
доктор технических наук, профессор кафедры оптических и биотехнических систем и технологий Физико-технологического института Московского технологического университета (Россия, 107076, г. Москва, Стромынка, д. 20)

Статьи автора

Технология изготовления функциональной гетероструктуры на основе GaN дает возможность выращивать слои GaN и In  Ga N n -типа и слои GaN и Al  Ga N р -типа. Если с получением слоев n -типа особых технологических проблем в настоящее время не существует, то получение слоев p -GaN - сложная задача. В работе показано, что в процессе получения легированного акцепторами GaN (при большом избытке NH) с применением металлоорганических соединений существует термодинамическая возможность образования высокой концентрации нейтральных комплексов ( А -Н). Установлено, что уменьшение концентрации акцептора и, соответственно, водорода в слоях снижает концентрацию нейтральных комплексов и упрощает технологическую задачу получения низкоомных слоев р -типа даже при низких концентрациях акцептора. Однако это требует разработки новых технологических приемов уменьшения содержания водорода и нежелательных примесей, таких как Si, O и С, при эпитаксии GaN. Оптимальный расход CpMg, при котором в эпитаксиальном слое достигается максимально возможная концентрация магния (6-8)∙10 см, составляет около 20-30 л/мин. Для достижения максимальных значений квантового выхода отжиг гетероструктур необходимо проводить в узком диапазоне температур (1063-1073 К).

  • Просмотров: 203 | Комментариев : 0

Статический метод с использованием нуль-манометра позволяет с высокой точностью проводить измерения давления пара. Данные по температурной зависимости давления ненасыщенного пара вещества (отсутствует конденсированная фаза) в статическом эксперименте позволяют определять состав пара. В работе рассмотрена многокомпонентная система, состоящая из молекул, содержащих i -е количество атомов. Разработаны математические закономерности при исследовании молекулярного состава многокомпонентного пара. Получена в совокупности с исходными уравнениями система n линейных уравнений с n неизвестными. Система уравнений совместна и имеет единственное решение, так как определитель, составленный из коэффициентов при неизвестных парциальных давлениях компонентов, отличен от нуля. Экспериментально статическим методом исследован состав пара теллура. Показано, что пар теллура состоит в основном из находящихся в равновесии одно-, двух- и четырехатомных молекул (Te = 2Te и Te = 2Te). Обработка полученных экспериментальных данных позволила получить уравнения температурной зависимости констант и выявить изменение среднего числа атомов теллура в газовой фазе в широком интервале давлений и температур.

  • Просмотров: 330 | Комментариев : 0

Проведен теоретический анализ механизмов кристаллизации нитрида галлия в процессе газофазной эпитаксии. Подробно рассмотрен процесс роста слоев в условиях ограничений в пограничном слое. Определены условия управления процессом и форсирования массопереноса. Экспериментально изучено влияние скорости вращения подложки на механизм кристаллизации.

  • Просмотров: 433 | Комментариев : 0

Рассмотрены отличительные особенности дифрактометрии многослойных гетероструктур на основе нитрида галлия. С помощью установки Vector-GaN для проведения рентгеновской дифрактометрии показано влияние технологических условий получения слоев гетероструктуры GaAlN/InGaN/GaN/AlO на их структурное совершенство.

  • Просмотров: 415 | Комментариев : 0

Приведены результаты исследования структурного совершенства слоев гетероструктуры GaN/GaInN/AlOи влияния их дефектности на характеристики излучателя на их основе. Для определения дефектности слоев использован метод рентгеновской дифрактометрии. Разработаны новая методика и устройство на основе фотодиода ФД-24К для определения квантового выхода.

  • Просмотров: 426 | Комментариев : 0