Рассмотрены отличительные особенности дифрактометрии многослойных гетероструктур на основе нитрида галлия. С помощью установки Vector-GaN для проведения рентгеновской дифрактометрии показано влияние технологических условий получения слоев гетероструктуры GaAlN/InGaN/GaN/AlO на их структурное совершенство.
1. Study of heterostructures according to single crystal Xray diffractometry / A. V. Lyutsau, M. M. Krymko, K. L. Enisherlova et al. // Russian Microelectronics. – 2013. – Vol. 42. – No. 8. – P. 517–524.
2. Алексеев А.Н., Красовицкий Д., Петров С., Чалый В. Многослойные гетерострук-туры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN – основа новой компонентной базы твердотельной СВЧ электроники // Компоненты и технологии. – 2008. – № 2. – С. 138–142.
3. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке / Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина и др. // Materials Physics and Mechan-ics. – 2015. – № 22. – С. 53–58.
4. Кютт Р.Н., Ратников В.В., Мосина Г.Н., Щеглов М.П. Структурное совершенст-во эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции // Физика твердого тела. – 1999. – Т.41. – № 1. – C. 30 37.
5. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А.Г. Васильев, К.Л. Енишерлова, А.В. Лютцау и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупро-водниковые приборы. –2010. – Вып. 2(225). – С. 13–27.
6. Исследование гетероструктур методом однокристальной дифрактометрии / А.В. Лютцау, М.М. Крымко, К.Л. Енишерлова и др. // Материалы электронной техники. – 2012. – № 3. – С. 72–78.
7. Blue InGaN quantum well LED fabrication / S. Nakamura, M. Grundmann, J. Haaheim et al. // Santa Barbara: Department of Electrical and Computer Engineering – University of Cali-fornia. – 2002. – 5, 8. – P. 16.
8. Изучение влияния дефектов в зародышевых слоях AlGaN на утечки в гетерострук-турах для транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.А. Андреев, Ю.В. Гри-щенко, И.С. Езубченко и др. // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. – 2015. – №1. – URL: http://jre.cplire.ru/jre/jani15/23/text.html