Персоналии

Ермошин Иван Геннадьевич
Кандидат технических наук, старший инженер ЗАО «Элма-Малахит» (г. Москва). Область научных интересов: технология полупроводников и приборов на их основе.

Статьи автора

Рассмотрены отличительные особенности дифрактометрии многослойных гетероструктур на основе нитрида галлия. С помощью установки Vector-GaN для проведения рентгеновской дифрактометрии показано влияние технологических условий получения слоев гетероструктуры GaAlN/InGaN/GaN/AlO на их структурное совершенство.

  • Просмотров: 1331 | Комментариев : 0

Приведены результаты исследования структурного совершенства слоев гетероструктуры GaN/GaInN/AlOи влияния их дефектности на характеристики излучателя на их основе. Для определения дефектности слоев использован метод рентгеновской дифрактометрии. Разработаны новая методика и устройство на основе фотодиода ФД-24К для определения квантового выхода.

  • Просмотров: 1324 | Комментариев : 0

Рассмотрена процедура оптимизации получения слоев нитридов AIIIN МОС-методом с использованием рентгенодифрактометрического анализа. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по измерению кривых качания, коррелирует с излучательными характеристиками светодиодных структур.

  • Просмотров: 303 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru