Рассмотрена процедура оптимизации получения слоев нитридов AIIIN МОС-методом с использованием рентгенодифрактометрического анализа. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по измерению кривых качания, коррелирует с излучательными характеристиками светодиодных структур.
1. Systematic analysis and control of low-temperature GaN buffer layers on sapphire substrates / Sumia М., Ogusu N., Yotsuda Y. et al. // J. of Appl. Phys. - 2003. - Vol. 93, Issue 2. - Р. 1311-1319.
2. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. - СПб.: Наука, 2002.
3. Hirsch Р.В. Mosaic structure // Progress in metal physics. - N.-Y.: Pergamon, 1956. - Ch. 6. - Р. 137-141.
4. Influences of temperature ramping rate оп GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers growп by metalorganic chemical vapor deposition / Dong-Sing Wuu, Ray-Hua Horng, Wei-Hao Tseng et аl. // J. of Crystal Growth 220. - 2000. - Р. 235-242.