Рассмотрен новый класс квазибезотражательных потенциалов, связанных с рассеянием при малых энергиях. Используя разложение пропускания системы по волновым векторам в области параметров, соответствующих выходу локализованных состояний в непрерывный спе...
Рассмотрены особенности управляемой передислокации носителей заряда в наноструктурах на основе туннельно-связанных квантовых областей, образованных гетеропереходами GaAs/AlGaAs. Обсуждаются результаты численного моделирования динамики управляемой тун...
Представлен анализ проблемы появления включений углерода в монокристалле карбида кремния при выращивании слитков карбида кремния SiC модифицированным методом Лэли (так называемая графитизация слитка). Показано, что процесс графитизации слитка...
Предложены уточненные формулы, позволяющие провести расчет комплексных компонент тензора магнитной проницаемости поли- и монокристаллических СВЧ-ферритов при различной степени намагниченности. Формулы учитывают внутреннее поле анизотропии, поэтому мо...
Определена ширина запрещенной зоны анодного Cu2O, содержащего 5 ат.% хлора, равная 1,8 эВ. Показано, что в температурном диапазоне 20-75 °С сопротивление резисторов на основе анодных пленок хлорсодержащего Cu2O снижается почти на 5 порядков, а пр...
Приведены результаты исследования материалов для толстопленочных резистивных элементов с высоким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), обусловливающим возможность их применения в качестве терморезистивных датчиков. В исследованных ...
Рассмотрена процедура оптимизации получения слоев нитридов AIIIN МОС-методом с использованием рентгенодифрактометрического анализа. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по измерению кривых качания, коррелирует с излучательными...
Рассмотрены проблемы теплоотвода, тепловые эффекты и явления саморазогрева, возникающие при работе планарных силовых МОП-транзисторов КНИ-типа. С помощью методов приборно-технологического моделирования исследованы характеристики транзисторов и област...
Проведено исследование влияния газового демпфирования на ширину полосы пропускания микроакселерометров маятникового типа. Установлено, что для увеличения ширины пропускания необходимо обеспечить остаточное давление внутри объема корпуса не более 1-5·...
Рассмотрены результаты математического моделирования распространения света в газовом оптическом сенсоре на основе планарного многомодового волновода (d >> λ). Показано, что при соответствующем выборе геометрических и оптических характер...
Представлен прототип прибора для одновременного измерения следовых концентраций газов CO2 (1,60 мкм), CH4 (1,65 мкм) и NH3 (1,51 мкм) на основе диодных гетеролазеров с одномодовым волоконным выводом излучения. Управление трехк...
5 марта 2008 r. исполнилось 75 лет известному специалисту в области разработки и исследований МДЛ-структур и ·мдП-транзисторов, одному из первых разработчиков МДП-приборов и интегральных схем на основе КНИ-структур, доктору технических наук, профессо...