Квазибезотражательные потенциалы в полупроводниковых наногетероструктурах

Раздел находится в стадии актуализации

Рассмотрен новый класс квазибезотражательных потенциалов, связанных с рассеянием при малых энергиях. Используя разложение пропускания системы по волновым векторам в области параметров, соответствующих выходу локализованных состояний в непрерывный спектр, определены эффективные параметры низкоэнергетического рассеяния. Найдены параметры гетероструктур, формируемых ступенчатым распределением состава, обеспечивающие условия безотражательности в области малых энергий.
Горбацевич Александр Алексеевич
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, г.Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, Россия
Журавлёв Максим Николаевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, Россия
Капаев Владимир Васильевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru