Квазибезотражательные потенциалы в полупроводниковых наногетероструктурах

Рассмотрен новый класс квазибезотражательных потенциалов, связанных с рассеянием при малых энергиях. Используя разложение пропускания системы по волновым векторам в области параметров, соответствующих выходу локализованных состояний в непрерывный спектр, определены эффективные параметры низкоэнергетического рассеяния. Найдены параметры гетероструктур, формируемых ступенчатым распределением состава, обеспечивающие условия безотражательности в области малых энергий.
Горбацевич Александр Алексеевич
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, г.Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, Россия
Журавлёв Максим Николаевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, Россия
Капаев Владимир Васильевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться