1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10338301[539.23 + 539.194].001.24Фундаментальные исследованияQuasireflectionless Potentials in Semiconductor NanoheterostructureКвазибезотражательные потенциалы в полупроводниковых наногетероструктурахГорбацевич Александр Алексеевич ГорбацевичАлександр Алексеевич AlekseevichGorbatsevich AleksandrGorbatsevich Aleksandr AlekseevichЖуравлёв Максим Николаевич ЖуравлёвМаксим Николаевич NikolaevichZhuravlyev MaksimZhuravlyev Maksim NikolaevichКапаев Владимир Васильевич КапаевВладимир Васильевич VasilevichKapaev VladimirKapaev Vladimir VasilevichФизический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, г.Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г.Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия313http://ivuz-e.ru/issues/2-_2008/kvazibezotrazhatelnye_potentsialy_v_poluprovodnikovykh_nanogeterostrukturakh/

A new class of quasireflectionless potentials, associated with low energy scattering, has been considered. The effective parameters of low energy scattering have been determined using the system expansion by the wave vectors in the region of the parameters corresponding to the exit of the localized states into the continuum. The parameters of the heterostructures, formed by the composition step-like distribution, which provide the reflectionless conditions in the low-energy region, have been found.

Рассмотрен новый класс квазибезотражательных потенциалов, связанных с рассеянием при малых энергиях. Используя разложение пропускания системы по волновым векторам в области параметров, соответствующих выходу локализованных состояний в непрерывный спектр, определены эффективные параметры низкоэнергетического рассеяния. Найдены параметры гетероструктур, формируемых ступенчатым распределением состава, обеспечивающие условия безотражательности в области малых энергий.

 Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 1.Kroemer H. Band Offsets and Chemical Bonding: The Basis for Heterostructure Applications // Physica Scripta. - 1996. -Т. 68. - С. 10-16.Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. - N. Y.: Halsted Press. 1989.Foreman B.A. Effective-mass hamiltonian and boundary conditions for the valence bands of semiconductor microstructures // Phys. Rev. B. - 1993. - Т. 48. - С. 4964-4967.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). - М.: Физматлит, 2002.Aharonov Y., Bohm D. Significance of electromagnetic potentials in quantum theory // Phys. Rev. - 1959. - Т. 115. - С. 485-491.Tsu R., Esaki L. Tunneling in finite superlattice // Appl. Phys.Lett. - 1973. - Т. 22. - С. 562.Nonparabolicity and a sum rule associated with boundto-bound and bound-to-continuum intersubband transitions in quantum wells / C.Sirtori, F.Capasso, J.Faist et al. // Phys. Rev. B. - 1994. - Т. 50. - С. 8663-8674.Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. О электромагнитных свойствах полупроводников со сверхрешеткой // ФТП. - 1971. - Т. 5. - С. 797-800.Quantum Cascade Laser / J.Faist, F.Capasso, D.L. Sivco et al. // Science - 1994. - Т. 22. - С. 553-556Theory of Bose-Einstein condensation in trapped gases / F.Dalfovo, S.Giorgini, L.Pitaevskii et al. // Rev. Mod. Phys. - 1999. - Т. 71. - С. 463-512.Горбацевич А.А., Журавлёв М.Н., Капаев В.В. Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе // ЖЭТФ. - 2008. - Т. 134.Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004.