Рассмотрены проблемы теплоотвода, тепловые эффекты и явления саморазогрева, возникающие при работе планарных силовых МОП-транзисторов КНИ-типа. С помощью методов приборно-технологического моделирования исследованы характеристики транзисторов и область безопасной работы. Показано, что ограничения области безопасной работы связаны в большей степени с саморазогревом структуры, чем с включением паразитного биполярного транзистора.
1. Material and process limits in silicon VLSI technology / J.D.Plummer et al. // Proc. of the IEEE. - 2001. - Vol. 89, N 3. - P. 240-258.
2. Measurement and Modeling of Self-Heating in SOI NMOSFET's / L.T.Su, J.E.Chung, D.A.Antoniadis et al. // IEEE transactions on electron devices. - 1994. - Vol. 41, N 1, January. - P. 69-75.
3. Efficiency of SOI-Like structures for reducing the thermal resistance in thin-film SOI power LDMOSFETs / J.Roig, J.Urresti, I.Cortes et al. // IEEE electron device letters. - 2004. - Vol. 25, N 11. -P. 743-745.
4. Fiorenza G., Antoniadis A., Jesus A. del Alamo. RF Power LDMOSFET on SOI // IEEE electron device letters. - 2001. -Vol. 22, N 3. - P. 139-141.
5. Fiorenza G., Antoniadis A., Jesus A. del Alamo. Experimental comparison of RF power LDMOSFETs on thinfilm SOI and bulk silicon // IEEE transactions on electron devices. - 2002. - Vol. 49, N 4. - P. 687-692.
6. S.Matsumoto et al. A new high performance lateral insulated gate bipolar transistor formed on quasi-SOI // IEEE electron device letters. - 1995. - Vol. 16, N 9. - P. 402-404.
7. The partial siliconon-insulator technology for RF power LDMOSFET devices and on-chip microinductors / Ren Changhong et al. // IEEE transactions on electron devices. - 2002. - Vol. 49, N 12. - P. 2271-2278.
8. Study of novel techniques for reducing self-heating effects in SOI power LDMOS / J.Roig, D.Flores, M.Hidalgo et al. // Solid State Electronics. - 2002. - Vol. 46, N 12. - P. 2123-2133.
9. Efficiency of SOI-like structure for reducing the thermal resistance in thin-film SOI POWER LDMOSFETs / J.Roig et al. // IEEE electron device letters. - 2004. -Vol. 25, N 11. - P. 743-745.
10. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи. - М.: Издательский дом Додэка-XXI, 2001. - 384 с.