Представлен анализ проблемы появления включений углерода в монокристалле карбида кремния при выращивании слитков карбида кремния SiC модифицированным методом Лэли (так называемая графитизация слитка). Показано, что процесс графитизации слитка не связан с недостатком кремния в ростовой ячейке, напротив, именно избыток кремния у поверхности роста тормозит скорость процесса роста слитка и приводит к интенсивной коррозии графитовой арматуры.
Авров Дмитрий Дмитриевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Таиров Юрий Михайлович
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)
Лебедев Андрей Олегович
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург)
1. Li H., Chen X.L., Ni D.Q., Wu X. An analysis of seed graphitization for sublimation growth of SiC bulk crystal // Diamond and Related Materials. - 2004. - Vol. 13, Issue 1. - P. 151-156.
2. Liu J., Gao J., Cheng J., Yang J., Qiao G. Effects of graphitization degree of crucible on SiC single crystal growth process // Diamond and Related Materials. - 2006. - Vol. 15, Issue 1. - P. 117-120.
3. Investigation of mass transport during PVT growth of SiC by 13C labeling of sourse material / Z.H.Herro, P.J.Wellmann, R.Pusche et al. // J. Crystal Growth. - 2003. - Vol. 258, Issues 3-4. - P. 261-267.
4. Growth of silicon carbide ingots by the modified Lely method with «in situ» sublimation etching / M.M.Anikin, R.Madar, A.Rouault et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. - N 142. - P. 33-36.
5. Analysis on defect generation during the SiC bulk growth process / D.Hofmann, E.Schmitt, M.Bickermann et al. // Mater. Sci. Eng.B. - 1999. - Vol. 61-62. - P. 48-53.
6. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Ramm M.S. Simulation of Sublimation Growth of SiC Single Crystals // Phys. Stat. Sol. B. - 1997. - Vol. 202, Issue 1. - P.201-220.
7. Use of Ta-Container for Sublimation Growth and Doping of SIC Bulk Crystals and Epitaxial Layers / Yu.A.Vodakov, A.D.Roenkov, M.G.Ramm et al. // Phys. Stat. Solidi B. - 1997. - Vol. 202, Issue 1. - P. 177-200.
8. Tupitsyn E.Y., Arulchakkaravarthi A., Drachev R.V., Sudarshan T.S Controllable 6H-SiC to 4H-SiC polytype transformation during PVT growth // J. Crystal Growth. - 2007. - Vol. 299, Issue 1. - P. 70-76.
9. Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей. - М.: Наука, 1972. - 720 с.
10. Ma R.-H., Zhang H., Ha S., Skowronski M. Integrated process modeling and experimental validation of silicon carbide sublimation growth // J. Crystal Growth. - 2003. - Vol. 252, Issue 4. - 523-537.
11. Франк-Каменецкий Д.А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. - М.: Наука, 1987. - 494 с.
12. Defect formation in silicon carbide large scale ingots grown by sublimation technique / D.D.Avrov, A.V.Bulatov, S.I.Dorozhkin et al. // J. Crystal Growth. - 2005. - Vol. 275, Issues 1-2. - P. e485-e489.