Персоналии

Авров Дмитрий Дмитриевич
кандидат технических наук, старший научный сотрудник кафедры микро- и наноэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). Область научных интересов: фазовые равновесия, физика и технология роста широкозонных полупроводников.

Статьи автора

На основании зарубежных литературных источников последних лет и с учетом опыта авторов просуммированы наиболее важные сведения о дефектах в карбиде кремния, причинах их появления и свойствах, о современном уровне исследований дефектов и их влиянии на приборные характеристики.

  • Просмотров: 1447 | Комментариев : 0

Приведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. Рассмотрены микропоры, малоугловые границы и дефекты упаковки.

  • Просмотров: 1480 | Комментариев : 0

Представлен анализ проблемы появления включений углерода в монокристалле карбида кремния при выращивании слитков карбида кремния SiC модифицированным методом Лэли (так называемая графитизация слитка). Показано, что процесс графитизации слитка не связан с недостатком кремния в ростовой ячейке, напротив, именно избыток кремния у поверхности роста тормозит скорость процесса роста слитка и приводит к интенсивной коррозии графитовой арматуры.

  • Просмотров: 240 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru