Приведены результаты исследования материалов для толстопленочных резистивных элементов с высоким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), обусловливающим возможность их применения в качестве терморезистивных датчиков. В исследованных композициях в качестве проводящей фазы использовали порошок на основе боридов и силицидов молибдена, а в качестве стеклосвязующего – порошки стекол системы MnO−B2O3−SiO2. Приведены области составов стекол и резистивных композиций для получения резистивных элементов с величиной ТКС порядка от −2500 до +3000∙10−6К−1.
1. Осипенкова Н.Г., Шутова Р.Ф. Исследование кристаллизационной способности многомарганцевых стекол и стеклокристаллических материалов на их основе//Тез. докл. Второй Всероссийской науч.-техн. конф. с межд. участием (Зеленоград, 25-26 ноября 1997 г.). -М.: МИЭТ, 1997. -С. 72, 73.
2. Мамонтова М.Ю. Структура и свойства композиционных материалов на основе дисилицида молибдена. -Диссертация... канд. техн. наук. -Свердловск, Уральский политехнический институт, 1989.
3. Серебрякова Т.И., Неронов В.А., Пешев П.Д. Высокотемпературные бориды. -М.: Металлургия, Челябинское отд., 1991. -368 с.
4. Гребенкина В.Г., Юсов Ю.П., Сорокин В.Н. Объемные резисторы. -Киев: Наукова думка, 1976. -210 с.
5. Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия: В 2 т. Т. 2. Химия металлов. -М.: Мир, 1971. -872 с.
6. Михосоев М.В., Алексеев Ф.П., Луцык В.И. Диаграммы состояния молибдатных и вольфраматных систем. -М.: Наука, 1975. -342 с.
7. Шутова Р.Ф., Козлова Е.Е. Резисторы для низкотемпературных подложек//Тез. докл. IV Междунар. науч.-техн. конф. «Электроника и информатика -2002» (Москва, 19-21 ноября 2002 г.). -М.: МИЭТ, 2002. -Ч. 1. -С. 318.