1561-5405

10.24151/1561-5405

Proceedings of Universities. Electronics

Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"

Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»

1561-5405 2587-9960

National Research University of Electronic Technology

Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

10338307

621.793.162

Материалы электронной техники

Optimization of Technology for Producing Gallium Nitride Heterostructures Using Diffractometry Analysis Data

Оптимизация технологии получения гетероструктур GaN с использованием данных дифрактометрического анализа

Ермошин Иван Геннадьевич

Ермошин

Иван Геннадьевич

Gennadevich

Ermoshin Ivan

Ermoshin Ivan Gennadevich

Цыпленков Игорь Николаевич

Цыпленков

Игорь Николаевич

Igor

Nikolaevich Tsyplenkov

Nikolaevich Tsyplenkov Igor

Свешников Юрий Николаевич

Свешников

Юрий Николаевич

Yuriy

Nikolaevich Sveshnikov

Nikolaevich Sveshnikov Yuriy

ЗАО «Элма-Малахит» (г. Москва)

4951

http://ivuz-e.ru/issues/2-_2008/optimizatsiya_tekhnologii_polucheniya_geterostruktur_gan_s_ispolzovaniem_dannykh_difraktometrichesko/

The optimization procedure in growing the layers of A3N nitrides by MOCWD method using the X-ray-diffractometry method has been considered. It has been determined that the structural perfection of the layers, obtained by measurement of the rocking waves, correlates with the emitting efficiency of the LED structures.

Рассмотрена процедура оптимизации получения слоев нитридов AIIIN МОС-методом с использованием рентгенодифрактометрического анализа. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по измерению кривых качания, коррелирует с излучательными характеристиками светодиодных структур.

Systematic analysis and control of low-temperature GaN buffer layers on sapphire substrates / Sumia М., Ogusu N., Yotsuda Y. et al. // J. of Appl. Phys. - 2003. - Vol. 93, Issue 2. - Р. 1311-1319.

Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. - СПб.: Наука, 2002.

Hirsch Р.В. Mosaic structure // Progress in metal physics. - N.-Y.: Pergamon, 1956. - Ch. 6. - Р. 137-141.

Influences of temperature ramping rate оп GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers growп by metalorganic chemical vapor deposition / Dong-Sing Wuu, Ray-Hua Horng, Wei-Hao Tseng et аl. // J. of Crystal Growth 220. - 2000. - Р. 235-242.