С позиции классической термодинамики Гиббса проанализирован механизм кристаллизации GaN из газовой фазы. При исследовании образования нейтральных комплексов акцепторных примесей с водородом использованы основные положения теории Райса и Дебая – Хюккеля. На основании анализа межмолекулярного взаимодействия выявлены области нестабильности в системах GaN-InN и GaN-AlN. Для условий МОС-гидридной технологии определены зависимости изменения состава кристаллизующихся твердых растворов от состава парогазовой фазы.
1. Пригожин И., Дефэй Р. Химическая термодинамика. - Новосибирск: Наука, 1966. - 509 с.
2. Глазов В.М., Земсков В.С. Физико-химические основы легирования полупроводников. - М.: Наука, 1967. - 56 с.
3. Asai T., Dandy D. Thermodinamic analysis of III-V semiconductor alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy // J. of Appl. Phys., 2000. - Vol. 88, N 7. - P. 4407-4416.
4. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. - М.: Металлургия, 1972. - 250 с.
5. Vigdorovich E.H., Sveshnikov Y.N. Thermodynamic Stability of the GaN-InN-AlN // System Inorganic Materials. - 2000. - Vol. 36, N 5. - P. 568-570.
6. Никифоров С.Г. Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители? // Компоненты и Технологии. - 2007. - № 7. - С. 170-175.
7. Seki H.,Koukitu A. Thermodinamic Calculation for the Quaternary Alloy Composition of Vapor-Grown In1-xGaxAsyP1-y // Jpn. J. Appl. Phys. - 1979. - Vol. 18, N 8. - P. 1649, 1650.
8. Van Schilfgaarde M., Sher A., Chen A. Theory of AlN, GaN, InN and their alloys. - J. of Crystal Growth. - 1997. - 178. - P. 8-31.
9. Belousov M., Volf B., Ramer J.C., Armour E.A.,Gurary A. In situ metrology advances in MOCVD growth of GaN-based materials // J. of Crystal Growth. - 2004. - 272. - P. 94-99.
10. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкофазной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. - М.: Металлургия, 1991. - 174 с.
11. Stevenson R. Researchers seek material solution to GaN deficiencies at ISBLLED 2006 // Compound Semiconductor. - 2006. -Iuly. - P. 20-22.