Проведен теоретический анализ механизмов кристаллизации нитрида галлия в процессе газофазной эпитаксии. Подробно рассмотрен процесс роста слоев в условиях ограничений в пограничном слое. Определены условия управления процессом и форсирования массопереноса. Экспериментально изучено влияние скорости вращения подложки на механизм кристаллизации.
1. Туркин А.Н., Юнович А.Э. Научные и технологические новости на нитридном на-правлении в России // Полупроводниковая светотехника. – 2013. – № 6. – С. 28, 29.
2. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. – 1998. – Т. 32. – N 1. – С. 3–18.
3. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. Новое поколение полупроводниковых мате-риалов и приборов: через GaN к алмазу // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2007. – № 4. – С. 68–76.
4. Гольцова М.А. Международная конференция IEDM 2011. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы. Ч.2 // Электроника: Наука, Технология, Биз-нес. – 2012. – № 2. – С. 92–100.
5. Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников и др. // ФТП. – 2004. – Т. 38. – Вып. 6. – С. 705–709.
6. Бобровников И.А., Ивонин И.В., Новиков В.А., Преображенский В.В. Теоретиче-ские и экспериментальные исследования поверхностных процессов при молекулярной эпитаксии нитрида галлия // ФТП. – 2009. – Т. 43. – Вып. 3. – С. 422–428.
7. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя: пер. с нем. – М., 1974. – 84с.