A theoretical analysis of the mechanisms of the gallium nitride crystallization in the process of the gas-phase epitaxy has been performed. The process of layers growth under conditions of the constraints in the boundary layer has been in detail considered. The conditions for the process control and the mass transfer forcing have been determined. The influence of the rotation speed of the substrate on the crystallization mechanism has been experimentally studied.
1. Туркин А.Н., Юнович А.Э. Научные и технологические новости на нитридном на-правлении в России // Полупроводниковая светотехника. – 2013. – № 6. – С. 28, 29.
2. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. – 1998. – Т. 32. – N 1. – С. 3–18.
3. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. Новое поколение полупроводниковых мате-риалов и приборов: через GaN к алмазу // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2007. – № 4. – С. 68–76.
4. Гольцова М.А. Международная конференция IEDM 2011. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы. Ч.2 // Электроника: Наука, Технология, Биз-нес. – 2012. – № 2. – С. 92–100.
5. Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников и др. // ФТП. – 2004. – Т. 38. – Вып. 6. – С. 705–709.
6. Бобровников И.А., Ивонин И.В., Новиков В.А., Преображенский В.В. Теоретиче-ские и экспериментальные исследования поверхностных процессов при молекулярной эпитаксии нитрида галлия // ФТП. – 2009. – Т. 43. – Вып. 3. – С. 422–428.
7. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя: пер. с нем. – М., 1974. – 84с.