Статический метод с использованием нуль-манометра позволяет с высокой точностью проводить измерения давления пара. Данные по температурной зависимости давления ненасыщенного пара вещества (отсутствует конденсированная фаза) в статическом эксперименте позволяют определять состав пара. В работе рассмотрена многокомпонентная система, состоящая из молекул, содержащих i -е количество атомов. Разработаны математические закономерности при исследовании молекулярного состава многокомпонентного пара. Получена в совокупности с исходными уравнениями система n линейных уравнений с n неизвестными. Система уравнений совместна и имеет единственное решение, так как определитель, составленный из коэффициентов при неизвестных парциальных давлениях компонентов, отличен от нуля. Экспериментально статическим методом исследован состав пара теллура. Показано, что пар теллура состоит в основном из находящихся в равновесии одно-, двух- и четырехатомных молекул (Te = 2Te и Te = 2Te). Обработка полученных экспериментальных данных позволила получить уравнения температурной зависимости констант и выявить изменение среднего числа атомов теллура в газовой фазе в широком интервале давлений и температур.
1. Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура. – М.: Металлургия, 1968. – 132 с.
2. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды. – М.: Наука, 1968. – 215 с.
3. Пашинкин А.С., Михайлова М.С. Анализ термодинамических функций твердого теллурида висмута // Известия вузов. Электроника. – 2015. – Т. 20. – № 2. – С. 198–200.
4. Grosse P. Die Festkorpereigen schaftenvonTellur. – Berlin – Heidelberg – New York: Springer-Verlag, 1969. – 208 s.
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на «аль-тернативных» подложках / Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35. – Вып. 9. – С. 28–30.
6. Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Колесников А.В. Дислокации в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия и кремния // Автометрия. – 2014. – Т. 50. – № 3. – С. 25–33.
7. Sidorov Y.G., Yakushev M.V., Kolesnikov A.V. Dislocations in CdTe heteroepitaxial structures on GaAs and Si substrates // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2014. – Vol. 50. – No. 3. – P. 234–240.
8. Тулеушев Ю.Ж., Володин В.Н., Мигунова А.А., Лисицын В.Н. Теллурид кадмия в пленках системы теллур–кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами // Жур-нал технической физики. – 2015. – Т. 85. – Вып. 8. – С. 67–71.
9. Triboulet R., Siffert P. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero- and nano-structures, crystal growth, surfaces and applications // Elsevier Science. – 2010. – Part II. – P. 73–76.
10. Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров МОС и ртути / А.Н. Моисеев, А.В. Чилясов, Б.С. Степанов и др. // Успехи прикладной физики. – 2013. – Т. 1. – № 2. – С. 209–215.
11. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК-фотоприемников, работаю-щих при повышенных температурах / В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.А. Гузев и др. // Фи-зика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50. – № 12. – С. 1652–1656.
12. Лекк Дж. Измерение давления в вакуумных системах. – М.: Мир, 1966. – 208 c.
13. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. – Л.: Химия, 1970. – 208 c.
14. Термодинамические свойства индивидуальных веществ: справочник / под ред. В. П. Глушко. – М.: Изд-во АН СССР, 1978–1984. Т. 1–4.
15. Вигдорович Е.Н., Эскин С.М. Фазовые равновесия в системе Zn–Ga–P // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. – 1979. – Т. 15. – Вып. 11. – С. 1909–1912.
16. Вигдорович Е.Н., Эскин С.М. Тензиметрические исследования и физико-химический анализ фазовых равновесий в системах, используемых при получении эпитаксиальных слоев III–V и твердых растворов на их основе // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. – 1987. – Вып. 3. – С. 44.
17. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. – М.: Мир, 2002. – 205 с.