Формирование низкоомных слоев -типа в гетероструктурах GaAlN/GaN

Технология изготовления функциональной гетероструктуры на основе GaN дает возможность выращивать слои GaN и In  Ga N n -типа и слои GaN и Al  Ga N р -типа. Если с получением слоев n -типа особых технологических проблем в настоящее время не существует, то получение слоев p -GaN - сложная задача. В работе показано, что в процессе получения легированного акцепторами GaN (при большом избытке NH) с применением металлоорганических соединений существует термодинамическая возможность образования высокой концентрации нейтральных комплексов ( А -Н). Установлено, что уменьшение концентрации акцептора и, соответственно, водорода в слоях снижает концентрацию нейтральных комплексов и упрощает технологическую задачу получения низкоомных слоев р -типа даже при низких концентрациях акцептора. Однако это требует разработки новых технологических приемов уменьшения содержания водорода и нежелательных примесей, таких как Si, O и С, при эпитаксии GaN. Оптимальный расход CpMg, при котором в эпитаксиальном слое достигается максимально возможная концентрация магния (6-8)∙10 см, составляет около 20-30 л/мин. Для достижения максимальных значений квантового выхода отжиг гетероструктур необходимо проводить в узком диапазоне температур (1063-1073 К).
Евгений Наумович Вигдорович
Московский технологический университет, г. Москва, Россия
Поделиться