Прогнозирование условий хлоридно-гидридной эпитаксии слоев GaInAsP, изопериодных с GaAs и GaAsP

Прогнозирование условий хлоридно-гидридной эпитаксии слоев GaInAsP, изопериодных с GaAs и GaAsP

Раздел находится в стадии актуализации

Для получения многокомпонентных твердых растворов AB в основном применяются газофазные методы, такие как хлоридно-гидридный, эпитаксия из металлоорганических соединений, молекулярно-лучевая эпитаксия. Разработка оптимальных технологических режимов многокомпонентных слоев и структур, как правило, требует больших временных и материальных затрат. В работе предложен метод моделирования процессов роста многокомпонентных твердых растворов, основанный на базовых физико-химических закономерностях кристаллизации материалов и свойств соединений AB. Проанализированы и спрогнозированы процессы получения четырехкомпонентных твердых растворов InGa  AsP  , изопериодных с GaAs и трехкомпонентными твердыми растворами GaAsP и GaAsP. Экспериментально реализованы рассчитанные режимы и получены материалы, по качеству соответствующие современному уровню.
Вигдорович Евгений Наумович
МИРЭА – Российский технологический университет, г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru