Для получения многокомпонентных твердых растворов AB в основном применяются газофазные методы, такие как хлоридно-гидридный, эпитаксия из металлоорганических соединений, молекулярно-лучевая эпитаксия. Разработка оптимальных технологических режимов многокомпонентных слоев и структур, как правило, требует больших временных и материальных затрат. В работе предложен метод моделирования процессов роста многокомпонентных твердых растворов, основанный на базовых физико-химических закономерностях кристаллизации материалов и свойств соединений AB. Проанализированы и спрогнозированы процессы получения четырехкомпонентных твердых растворов InGa AsP , изопериодных с GaAs и трехкомпонентными твердыми растворами GaAsP и GaAsP. Экспериментально реализованы рассчитанные режимы и получены материалы, по качеству соответствующие современному уровню.
-
Ключевые слова:
наногетероструктуры, газофазные методы, изопериодные слои
-
Опубликовано в разделе:
Mатериалы электроники
-
Для цитирования:
Вигдорович Е.Н. Прогнозирование условий хлоридно-гидридной эпитаксии слоев Ga1–yInyAs1–xPx, изопериодных с GaAs и GaAs1–xPx // Изв. вузов. Электроника. 2021. Т. 26. № 3-4. С. 207–213. DOI: https://doi.org/ 10.24151/1561-5405-2021-26-3-4-207-213
1. Расчет упругонапряженной гетероструктуры AlxGayIn1–x–y As/InP c квантовыми ямами для эффективных лазерных излучателей / В.Н. Светогоров, Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк и др. // Российский технологический журнал. 2018. Т. 6. № 2. С. 46–55. DOI: 10.32362/2500-316X-2018-6-2-46-55
2. Белкин М.Е., Кудж С.А., Сигов А.С. Новые принципы построения радиоэлектронной аппаратуры СВЧ-диапазона с использованием радиофотонной технологии // Российский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 1. С. 4–20. DOI: 10.32362/2500-316X-2016-4-1-4-20
3. Андреев В.М, Левин Р.В., Маричев А.Е., Пушный Б.В. Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя // Изобретение. Номер охранного документа 0002660415. Правообладатель Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата охранного документа 06.07.2018.
4. Василььев М.Г., Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение гетероструктур In/InGaAsP/InP методом жидкостной эпитаксии и раздельное приготовление растворов-расплавов // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 7. С. 775–780.
5. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs / В.Л. Альперович, Ю.Б. Болховитянов, С.И. Чикичев и др. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1102–1110.
6. Никонов А.В., Куляхтина Н.М., Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Модель показателя преломления эпитаксиальных слоев InP и InGaAsP // Прикладная физика. 2015. № 1. С. 83–86.
7. Интегрирование InP/InGaAsP-фотодетекторов с волноводными схемами на подложке кремний на изоляторе / Г. Роэлкенс, Ю. Брокeр, Д. Тейллаэрт и др. // Фотоника. 2007. № 6. С. 28–31.
8. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1,0 эВ)/InP-гетероструктур / Р.В. Левин, А.Е. Маричев, М.З. Шварц и др. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 5. С. 715–719.
9. Основы теории подобия: конспект лекций / сост. К.И. Зуев. Владимир: Изд-во Владимирского гос. ун-та, 2011. 51 с.
10. Тихонов А.И. Основы теории подобия и моделирования (электрические машины): учеб. пособие. Иваново: ФГБОУ ВПО «Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина», 2011. 132 с.