Экпериментально исследован двухстадийный МОС-гидридный метод получения слоев GaN. Рассмотрены некоторые вопросы легирования слоев донорными и акцепторными примесями. Определены закономерности влияния технологических режимов на скорость роста, состав и функциональные характеристики квантово-размерных гетероструктур на основе GaN с множественными квантовыми ямами.
1. Pearton S.J., Zolper J.C, Shul R.J., Ren F. GaN: Processing, detects and devices // J. of Appl. Ph. - 1999. - Vol. 86, N 1. - Р. 1-78.
2. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. - 1998. - Т. 32, № 1.- С. 3-18.
3. Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: Современное состояние и основные тенденции развития // Материалы электронной техники. - 1999. - № 2. - С. 4-12.
4. Jain S.C., Willander М., Narayan J. III-nitrides: Growth, characterization and properties // J. of Appl. Ph. - 2000. - Vol. 87, N 3. - Р. 965-1006.
5. Effects of silicon doping оп the nanostructures of InGaN/GaN quantum wells / Meng-Ku Сhеn, Yung-Chen Cheng, Jiun-Yang Сhеn et al. // J. of Crystal Growth. - 2005. - 15 Мау. - Vol. 279, lss. 1-2. - Р. 55-64.
6. GaN:δ-Mg grown by MOVPE: Structural properties and their effect on the electronic and optical behavior / Т. Li, С. Simbrunner, М. Wegscheider, А. Navarro-Quezada et аl. // J. of Crystal Growth. - 2008. - 4 January. - Vol. 310, Iss. 1. - Р. 13-21.