1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 11642756621.592Материалы электронной техникиProduction of Quantum-Sized Heterostructures Based on GaNПолучение квантово-размерных гетероструктур на основе GaNВигдорович Евгений НаумовичВигдоровичЕвгений НаумовичVigdorovichEvgeny N.Evgeny N. VigdorovichСвешников Юрий НиколаевичСвешниковЮрий НиколаевичYuriyNikolaevich SveshnikovNikolaevich Sveshnikov YuriyМИРЭА – Российский технологический университет, г. Москва, РоссияЗАО «Элма-Малахит» (г. Москва)39http://ivuz-e.ru/issues/4-_2008/poluchenie_kvantovo_razmernykh_geterostruktur_na_osnove_gan/http://ivuz-e.ru/download/4_2008_2790.pdf

A two-step MOCVD-hydride method of fabricating GaN layers has been investigated. Some issues of doping the layers by donor and acceptor impurities have been studied. The laws of the influence of technological modes on the growth rate, structure and the functional characteristics of the quantum-sized heterostructures based on GaN with multiple quantum wells have been determined.

Экпериментально исследован двухстадийный МОС-гидридный метод получения слоев GaN. Рассмотрены некоторые вопросы легирования слоев донорными и акцепторными примесями. Определены закономерности влияния технологических режимов на скорость роста, состав и функциональные характеристики квантово-размерных гетероструктур на основе GaN с множественными квантовыми ямами.

 Pearton S.J., Zolper J.C, Shul R.J., Ren F. GaN: Processing, detects and devices // J. of Appl. Ph. - 1999. - Vol. 86, N 1. - Р. 1-78.Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. - 1998. - Т. 32, № 1.- С. 3-18.Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: Современное состояние и основные тенденции развития // Материалы электронной техники. - 1999. - № 2. - С. 4-12.Jain S.C., Willander М., Narayan J. III-nitrides: Growth, characterization and properties // J. of Appl. Ph. - 2000. - Vol. 87, N 3. - Р. 965-1006.Effects of silicon doping оп the nanostructures of InGaN/GaN quantum wells / Meng-Ku Сhеn, Yung-Chen Cheng, Jiun-Yang Сhеn et al. // J. of Crystal Growth. - 2005. - 15 Мау. - Vol. 279, lss. 1-2. - Р. 55-64.GaN:δ-Mg grown by MOVPE: Structural properties and their effect on the electronic and optical behavior / Т. Li, С. Simbrunner, М. Wegscheider, А. Navarro-Quezada et аl. // J. of Crystal Growth. - 2008. - 4 January. - Vol. 310, Iss. 1. - Р. 13-21.