Основными активными элементами в диапазоне частот от единиц до сотен гигагерц остаются полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия, других соединениях АВ и различных гетероструктурах на их основе. Для оптоэлектроники большое значение приобрел фосфид галлия и его соединения. Получение этих гетероструктур осуществляется, как правило, газофазными методами, при реализации которых необходимо знание состава пара их летучих компонентов. В работе тензиметрическим статическим методом исследован состав пара мышьяка и фосфора. Создана математическая модель для обработки экспериментальных результатов. Данные по давлению ненасыщенного пара мышьяка получены с помощью кварцевого мембранного манометра в интервале температур 973-1173 К и давлении 1,3∙10-1,9∙10 Па. В результате расчета показано, что пар мышьяка и фосфора состоит в основном из двух- и четырехатомных молекул. С применением наиболее достоверных справочных данных по энтальпии и энтропии As, As, P и P определены соответствующе термодинамические значения для As: = (178,90 ± 3,77) кДж/моль; = (227,17 ± 5,44) Дж/(моль·К) и для P: = (229,01 ± 3,55) кДж/моль; = (156,16 ± 0,83) Дж/(моль·К).
1. Расчет упругонапряженной гетероструктуры AlxGayIn1–x–y As/InP c квантовыми яма-ми для эффективных лазерных излучателей / В.Н. Светогоров, Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк и др. // Российский технологический журнал. 2018. Т. 6. № 2 (22). С. 46–55.
2. Тонкие пленки бинарных халькогенидов As2X3 (X = S, Se), полученные методом спин-коатинга / Тхи Ханг Нгуен, Е.В. Текшина, П.И. Лазаренко и др. // Российский тех-нологический журнал. 2017. Т. 5. № 3 (17). С. 51–57.
3. Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure / D.S. Andreev, K.O. Boltar, P.V. Vlasov et al. // Journal of Communica-tions Technology and Electronics. 2016. Vol. 61. Iss. 10. P. 1220–1225. DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226916100028
4. Performance evaluation of multi-junction solar cells by spatially resolved electrolumines-cence microscopy / L. Kong, Z. Wu, S. Chen et al. // Nanoscale Research Letters. 2015. Vol. 10. Art. No. 40. DOI: https://doi.org/10.1186/s11671-014-0719-9
5. Белкин М.Е., Кудж С.А., Сигов А.С. Новые принципы построения радиоэлектрон-ной аппаратуры СВЧ-диапазона с использованием радиофотонной технологии // Россий-ский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 1 (10). С. 4–20.
6. Казакова А.Е. Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на под-ложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента: дис. … канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 2018. 122 с.
7. Synthesis and properties of InxAlyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs heterostructures / D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina et al. // Inorganic Materials. 2017. Vol. 53. No. 12. P. 1217–1227. DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168517120019
8. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1–x AsyP1–y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения / И.А. Сысоев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова и др. // Неорганические материалы. 2014. Т. 50. № 3. Ст. № 237. С. 1–7. DOI: https://doi.org/10.7868/S0002337X14020171
9. Чеботарёв С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Ирха В.А. Закономерности ионно-лучевой кристаллизации и свойства полупроводниковых наногетероструктур InAs-QD/GaAs(001) // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 7-8. С. 51–57.
10. Панютин Е.А. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпи-таксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства: дис. … канд. физ.-мат. наук. СПб., 2009. 132 с.
11. Baranov A.I., Gudovskikh A.S., Nikitina E.V., Egorov A.Yu. Photoelectric properties of solar cells based on GaPNAs/GaP heterostructures // Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. Iss. 12. P. 1117–1120. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013120171