Основными активными элементами в диапазоне частот от единиц до сотен гигагерц остаются полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия, других соединениях АВ и различных гетероструктурах на их основе. Для оптоэлектроники большое значение при...
При создании контактов к наноструктурам менее 100 нм используются литографические методы, в частности электронно-лучевая литография и литография фокусированным ионным пучком с применением электронно-чувствительного резиста. Литография фокусированным ...
Для уменьшения негативного влияния защитного корпуса на конечные характеристики интегральной микросхемы еще на этапе разработки необходимо подобрать оптимальные параметры корпуса. Для расчета электрических параметров электродвигателей, печатных плат,...
При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснит...
Сложнофункциональные (СФ) блоки разрабатываются и применяются для ускорения прохождения маршрута проектирования пользовательских ИС и улучшения их итоговых характеристик. Существуют два типа СФ-блоков - гибкие и жесткие. Жесткий СФ-блок имеет...
Одно из главных преимуществ проектирования пользовательских схем на ПЛИС - высокая скорость разработки, поэтому создание эффективных средств автоматизированного проектирования для современных микросхем этого класса имеет важное значение. Наиболее вре...
Для обработки сигналов в радиотехнических системах применяются различные методы и технические средства, критерии выбора которых оптимизируются по лучшему результату решения поставленной задачи. Исследование сдвига аналогового сигнала на временной оси...
Тепловые методы контроля качества сквозного металлизированного отверстия (СМО) печатных плат (ПП) основаны на тепловых моделях. Однако известные тепловые модели СМО не учитывают отвода тепла в материал ПП и не позволяют связать теплов...
Активное состояние достигается при активизации атомов углерода с использованием плазмы в жестких энергетических условиях. Доля частиц с энергией, достаточной для активизации атомов углерода, составляет небольшой процент. В работе рассмотрен результат...
На 86-м году ушел из жизни выдающийся ученый в области физики плазмы, специалист, который впервые создал, реализовал и испытал работающий двигатель принципиально нового типа, вице-президент и действительный член Академии инженерных наук им. А.М. Прох...
8 июля 2021 г. исполнилось 95 лет ученому в области плазмохимических процессов микроэлектроники, доктору технических наук, профессору Степану Архиповичу Неустроеву. Свою трудовую деятельность С.А. Неустроев начал в 1942 г. на Урале, на заводе по прои...
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 25-26 ноября 2021 г. проводит Международную научно-практическую конференцию «Актуальные проблемы информатизации в цифровой экономике и научных исследованиях - 2021». В случае ухудшения эпидемиологичес...