Публикации журнала

Раздел находится в стадии актуализации

Статьи

  • Основными активными элементами в диапазоне частот от единиц до сотен гигагерц остаются полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия, других соединениях АВ и различных гетероструктурах на их основе. Для оптоэлектроники большое значение при...

Авторы: Вигдорович Евгений Наумович
347 - 352
  • При создании контактов к наноструктурам менее 100 нм используются литографические методы, в частности электронно-лучевая литография и литография фокусированным ионным пучком с применением электронно-чувствительного резиста. Литография фокусированным ...

Авторы: Царик Константин Анатольевич
353 - 362
  • Для уменьшения негативного влияния защитного корпуса на конечные характеристики интегральной микросхемы еще на этапе разработки необходимо подобрать оптимальные параметры корпуса. Для расчета электрических параметров электродвигателей, печатных плат,...

Авторы: Белов Егор Николаевич , Савостин Юрий Александрович
363 - 373
  • При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснит...

Авторы: Силкин Денис Сергеевич , Попов Дмитрий Александрович , Бо Ли, Сюй Чжан
374 - 386
  • Сложнофункциональные (СФ) блоки разрабатываются и применяются для ускорения прохождения маршрута проектирования пользовательских ИС и улучшения их итоговых характеристик. Существуют два типа СФ-блоков - гибкие и жесткие. Жесткий СФ-блок имеет...

Авторы: Хватов Василий Михайлович , Гаврилов Сергей Витальевич
387 - 398
  • Одно из главных преимуществ проектирования пользовательских схем на ПЛИС - высокая скорость разработки, поэтому создание эффективных средств автоматизированного проектирования для современных микросхем этого класса имеет важное значение. Наиболее вре...

Авторы: Заплетина Мария Андреевна , Гаврилов Сергей Витальевич
399 - 409
  • Для обработки сигналов в радиотехнических системах применяются различные методы и технические средства, критерии выбора которых оптимизируются по лучшему результату решения поставленной задачи. Исследование сдвига аналогового сигнала на временной оси...

410 - 425
  • Тепловые методы контроля качества сквозного металлизированного отверстия (СМО) печатных плат (ПП) основаны на тепловых моделях. Однако известные тепловые модели СМО не учитывают отвода тепла в материал ПП и не позволяют связать теплов...

Авторы: Сергеев Вячеслав Андреевич , Ходаков Александр Михайлович , Сальников Максим Юрьевич
426 - 431
  • Активное состояние достигается при активизации атомов углерода с использованием плазмы в жестких энергетических условиях. Доля частиц с энергией, достаточной для активизации атомов углерода, составляет небольшой процент. В работе рассмотрен результат...

Авторы: Неустроев Степан Архипович
432 - 434
  • На 86-м году ушел из жизни выдающийся ученый в области физики плазмы, специалист, который впервые создал, реализовал и испытал работающий двигатель принципиально нового типа, вице-президент и действительный член Академии инженерных наук им. А.М. Прох...

435 - 436
  • 8 июля 2021 г. исполнилось 95 лет ученому в области плазмохимических процессов микроэлектроники, доктору технических наук, профессору Степану Архиповичу Неустроеву. Свою трудовую деятельность С.А. Неустроев начал в 1942 г. на Урале, на заводе по прои...

437 - 438
  • Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 25-26 ноября 2021 г. проводит Международную научно-практическую конференцию «Актуальные проблемы информатизации в цифровой экономике и научных исследованиях - 2021». В случае ухудшения эпидемиологичес...

2 - ястр. обложки

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru